[發(fā)明專利]一種超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法及其使用方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111565206.5 | 申請日: | 2021-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN114242598A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王強;白潔;楊大祥;周祚貴;藺詩韻;鄧方行;張鑫;李玉福;楊文元 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶交通大學(xué)綠色航空技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/473 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11129 | 代理人: | 呂小琴 |
| 地址: | 401120 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 浸潤 金剛石 通道 制備 方法 及其 使用方法 | ||
1.一種超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
a.采用多晶金剛石片作為微通道結(jié)構(gòu)材料,利用高精密激光刻蝕對多晶金剛石片進行微通道熱沉結(jié)構(gòu)加工使其表面形成微通道溝槽,制備出多晶金剛石微通道熱沉;
b.采用無掩膜加工法對多晶金剛石微通道熱沉表面進行微納結(jié)構(gòu)構(gòu)筑,并進行氧等離子體表面處理,制備具有超浸潤性能的金剛石微通道熱沉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟a中,所述多晶金剛石片為化學(xué)氣相沉積金剛石,表面粗糙度小于10nm,多晶金剛石片的長度為10-100mm,寬度為10-100mm,厚度為1-5mm,熱導(dǎo)率為1000-2000W/m·K。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟a中,所述多晶金剛石的微通道溝槽為:微槽寬度100-500μm,微槽側(cè)壁粗糙度≤5μm,微槽底部粗糙度≤20μm,深寬比≥2:1,側(cè)壁傾角為-10°~+10°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟b中,先將金剛石微通道熱沉進行高溫氧化處理,然后進行氧等離子體表面處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟b中,高溫氧化處理的溫度為350-550℃,處理時間為10-120分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟b中,采用微波等離子體刻蝕方法,氧等離子體發(fā)生器采用純度為99.99%氧氣作為氣源,通過等離子體刻蝕工藝對金剛石熱沉進行氧等離子體表面處理,其中,微波功率1000-5000W,微波頻率1-3GHz,氣壓0.1-10Pa,基底溫度300-500℃。
7.根據(jù)權(quán)利6所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的制備方法,其特征在于:步驟b中,制備出的超浸潤金剛石微通道表面靜態(tài)水接觸角小于5°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的使用方法,其特征在于:包括以下步驟:在應(yīng)用超浸潤金剛石微通道進行散熱時,將超浸潤金剛石微通道熱沉安裝于對流換熱實驗平臺,采用水和液態(tài)金屬組成雙流體冷卻工質(zhì)進行冷卻,其中冷卻水預(yù)先對金剛石微通道進行完全潤濕,然后使用超聲分散后的液態(tài)金屬和水混合的溶液在一定工況條件下對熱源進行冷卻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的使用方法,其特征在于:所述液態(tài)金屬為鎵基液態(tài)合金Ga68In20Sn12,水為室溫下的蒸餾水,對液態(tài)金屬進行超聲分散時,將水溶液的pH值調(diào)整在4-6或8-10范圍內(nèi)使溶液處于弱酸性或弱堿性。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超浸潤金剛石微通道熱沉的使用方法,其特征在于:所述液態(tài)金屬和水混合溶液的溫度為15℃-30℃,超聲分散功率1-20千瓦,頻率20-40KHz。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





