[發明專利]一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置及制造方法

在審

• 申請號: 202111564133.8
• 申請日: 2021-12-20
• 公開（公告）號: CN114409232A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 王答成;王夢龍;楊威;王蒼龍
• 申請（專利權）人: 彩虹顯示器件股份有限公司
• 主分類號: C03B18/18
• 分類號: C03B18/18
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 崔方方

本發明公開了一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置及制造方法，屬于基板玻璃制造技術領域。一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置，包括內填充層，內填充層設在鉑金管外圍，內填充層的外壁上徑向設有若干個支撐架，每個支撐架沿軸向設有若干個U型槽，U型槽內繞有加熱絲，加熱絲由鉑金管的一端繞到另一端；繞制上加熱絲的鉑金管上套設有外部支撐磚，外部支撐磚與繞制上加熱絲的鉑金管之間的空隙填充有外灌漿層。本發明能夠提高鉑金通道加熱絲壽命。

技術領域

本發明屬于基板玻璃制造技術領域，尤其是一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置及制造方法。

背景技術

鉑金通道的加熱方式主要分為兩種，一種是采用焊接于通道本體的電極之間形成電流回路，進而在鉑金本體上產生焦耳熱，形成對內部玻璃熔液的直接加熱方式；另一種是安裝在鉑金本體外部的輔助加熱器，在其內部繞制有鉑金絲，通過向鉑金絲通電同樣產生焦耳熱，但輔助加熱器所產生的熱量還需經過中間填充層傳導至鉑金本體上，因此一般將該加熱方法稱為間接加熱。間接加熱一般設置于通道的后半區，主要是因為間接加熱作用緩慢，但熱源均勻，適合后半區以冷卻散熱為目的的溫度控制，即具備雙向溫度調節的能力。由于間接加熱可以根據鉑金本體的形狀設計與之匹配的內部結構，致使加熱絲與鉑金本體之間形成基本一致的等間距條件，對各種異型鉑金結構加熱效果更好更為均勻。但輔助加熱器由于其內部產生焦耳熱的純鉑金絲極易發生氧化和揮發反應，常導致加熱絲發生絲徑的衰減，當達到一定程度后即會發生熔斷，因此針對鉑金加熱絲的抗氧化揮發能力的提升是改善這一問題關鍵途徑。通過對多條線體的解析，發現鉑金加熱絲表面的揮發具有一定的規律，即位于槽內一側揮發較為嚴重，形成了較多的鉑金析晶顆粒物，而向外的一側相對較好。這主要與鉑金絲在加熱器磚槽內的放置于密封程度有關，這種加熱器結構，其表面分布有連續的絲槽結構，這種絲槽結構主要用于對鉑金絲的絕緣以及密封，但絲槽結構空間狹小，且具有一定深度，因此對于鉑金絲的密封填充無法做到完全的包裹密封。

發明內容

本發明的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置及制造方法。

為達到上述目的，本發明采用以下技術方案予以實現：

一種用于鉑金通道的一體式加熱裝置，包括內填充層，內填充層設在鉑金管外圍，內填充層的外壁上徑向設有若干個支撐架，每個支撐架沿軸向設有若干個U型槽，U型槽內繞有加熱絲，加熱絲由鉑金管的一端繞到另一端；

繞制上加熱絲的鉑金管上套設有外部支撐磚，外部支撐磚與繞制上加熱絲的鉑金管之間的空隙填充有外灌漿層。

進一步的，內填充層的厚度為15mm。

進一步的，相鄰的U型槽之間的間距為8～15mm。

進一步的，外灌漿層的漿料為氧化鋁填充料、工業硅酸鈉、水按照1:1.5:1.5混合形成。

進一步的，加熱絲的直徑為2.5～4.0mm。

進一步的，加熱絲為鉑金加熱絲。

進一步的，內填充層的漿料為質量比為1:1氧化鋁與工業硅酸鈉混合而成。

進一步的，支撐架在徑向上均布在內填充層外壁上。

進一步的，U型槽沿軸向均布在支撐架上。

本發明的用于鉑金通道的一體式加熱裝置的制造方法，包括：

將泥料在鉑金管進行涂抹和覆蓋，逐漸增加厚度，直至形成預設厚度的內填充層；

待內填充層固化后，將支撐架沿徑向按照預間距放置在內填充層的外壁，將加熱絲由鉑金管的一端繞到另一端，繞制的加熱絲繞制在支撐架上U型槽上；

將繞制上加熱絲的鉑金管上套設外部支撐磚；