[發明專利]100偏晶向硅片的制備方法在審
| 申請號： | 202111560348.2 | 申請日： | 2021-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN114193640A | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 宮龍飛;曹育紅;符黎明 | 申請（專利權）人： | 常州時創能源股份有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 100 硅片 制備 方法 | ||
1.100偏晶向硅片的制備方法，包括：單晶硅圓棒開方制得單晶硅方棒，單晶硅方棒切片制得硅片；其特征在于：
選擇晶向為100的單晶硅圓棒；
單晶硅圓棒開方過程中，先將硅棒棱線與晶托棱線一一對準的單晶硅圓棒順時針或逆時針旋轉θ角，再將單晶硅圓棒開方，制得與單晶硅圓棒同向延伸的單晶硅方棒；該單晶硅方棒包括一對端面以及四個側面；
單晶硅方棒切片過程中，切片方向平行于單晶硅方棒的某一側面，制得硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
2.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，所述θ角大于0°，且θ角小于45°。
3.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，單晶硅方棒切片過程中：
先將單晶硅方棒截斷成長方體或正方體硅塊；該硅塊包括一對端面以及四個側面；硅塊的一對端面為單晶硅方棒截斷所形成的截斷面；硅塊的四個側面為原單晶硅方棒四個側面的一部分；以硅塊的某一側面為切片參考面；
再將硅塊切片，切片方向平行于切片參考面，制得矩形硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
4.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，單晶硅方棒切片過程中：
先將單晶硅方棒截斷成長方體或正方體硅塊；該硅塊包括一對端面以及四個側面；硅塊的一對端面為單晶硅方棒截斷所形成的截斷面；硅塊的四個側面為原單晶硅方棒四個側面的一部分；以硅塊的某一側面為切片參考面；
再對硅塊上與切片參考面垂直的四個邊進行倒角處理；
再將倒角處理后的硅塊切片，切片方向平行于切片參考面，制得四角為倒角的矩形硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
5.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，單晶硅方棒切片過程中：
先將單晶硅方棒截斷成長方體或正方體硅塊；該硅塊包括一對端面以及四個側面；硅塊的一對端面為單晶硅方棒截斷所形成的截斷面；硅塊的四個側面為原單晶硅方棒四個側面的一部分；以硅塊的某一側面為切片參考面；
再將硅塊等分或不等分分割成至少兩個長方體小硅塊，且分割時垂直于硅塊的端面和切片參考面對硅塊進行切割；
再將小硅塊切片，切片方向平行于切片參考面，制得矩形硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
6.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，單晶硅方棒切片過程中：
先將單晶硅方棒截斷成長方體或正方體硅塊；該硅塊包括一對端面以及四個側面；硅塊的一對端面為單晶硅方棒截斷所形成的截斷面；硅塊的四個側面為原單晶硅方棒四個側面的一部分；以硅塊的某一側面為切片參考面；
再將硅塊等分或不等分分割成至少兩個長方體小硅塊，且分割時垂直于硅塊的端面和切片參考面對硅塊進行切割；
再對小硅塊上與切片參考面垂直的四個邊進行倒角處理；
再將倒角處理后的小硅塊切片，切片方向平行于切片參考面，制得四角為倒角的矩形硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
7.根據權利要求1所述的100偏晶向硅片的制備方法，其特征在于，單晶硅方棒切片過程中：
先將單晶硅方棒截斷成長方體或正方體硅塊；該硅塊包括一對端面以及四個側面；硅塊的一對端面為單晶硅方棒截斷所形成的截斷面；硅塊的四個側面為原單晶硅方棒四個側面的一部分；以硅塊的某一側面為切片參考面；
再將硅塊等分或不等分分割成至少兩個長方體小硅塊，且分割時平行于硅塊的端面對硅塊進行切割；
再將小硅塊切片，切片方向平行于切片參考面，制得矩形硅片，該硅片的晶向為100偏θ角。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州時創能源股份有限公司，未經常州時創能源股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111560348.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種納米纖維素氣凝膠防護口罩制備方法及使用方法
- 下一篇：高流量珠磨機
