[發明專利]一種晶體硅反應爐真空控制系統及控制方法

有效

• 申請號: 202111554082.0
• 申請日: 2021-12-17
• 公開（公告）號: CN114369869B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 金鑫;任俊江;薇兒妮卡·夏麗葉;云飛;張寶峰;肖益波
• 申請（專利權）人: 賽姆柯（蘇州）智能科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B31/18;C30B31/16
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 樊曉娜

1.一種晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：所述的系統包括緩沖罐、用于向所述的緩沖罐輸送氣體的通氣機構、用于定量抽取所述的緩沖罐內氣體的真空泵、用于檢測所述的緩沖罐內的真空值的真空檢測部件以及控制器，所述的緩沖罐與所述的通氣機構、真空泵、晶體硅反應爐的尾氣出端均連通，所述的真空檢測部件至少部分設置在所述的緩沖罐內；

所述的控制器與所述的通氣機構、所述的真空檢測部件、所述的真空泵均連接，所述的控制器用于控制所述的真空泵抽取所述的緩沖罐內氣體，并用于根據所述的真空檢測部件的檢測結果控制所述的通氣機構向所述的緩沖罐內輸送預設流量的氣體，使所述的緩沖罐內的真空值達到設定真空值；當所述的緩沖罐內的真空值小于設定真空值時，所述的控制器控制所述的通氣機構向所述的緩沖罐內輸送氣體，使所述的緩沖罐內的實際真空值達到設定真空值；

所述的系統還包括用于檢測輸送至所述的緩沖罐內的氣體流量的流量檢測部件；

所述的通氣機構輸送至所述的緩沖罐內的氣體流量通過以下公式獲得：

CV＝Kp×E+Ki×∫(0，1)E×dt+KddE/dt+B

PA＝PID-CV

E＝PV-SP

其中，SP為輸入設定點值，B為輸出偏置，Kp為比例，K為微分，Kd為積分，E為偏差，CV為控制輸出變量，PA為流量檢測部件流量設定值，PID為流量檢測部件最大量程，PV為來自模擬量輸入模塊的過程變量。

2.根據權利要求1所述的晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：所述的通氣機構包括氣體輸送部件、輸送管道，所述的輸送管道與所述的氣體輸送部件、所述的緩沖罐均連通。

3.根據權利要求1所述的晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：所述的氣體為氮氣。

4.根據權利要求1所述的晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：所述的緩沖罐內設置有過濾網，所述的過濾網用于吸附經晶體硅反應爐進入所述的緩沖罐內的反應物。

5.根據權利要求1所述的晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：所述的緩沖罐包括相連通的第一罐體、第二罐體，所述的第一罐體、第二罐體之間通過連接件密封連接。

6.一種晶體硅反應爐真空控制方法，其特征在于：該方法采用權利要求1-5任意一項所述的晶體硅反應爐真空控制系統，其特征在于：包括如下步驟：

S1、將硅片放入晶體硅反應爐后，對晶體硅反應爐升溫同時真空泵開始對緩沖罐進行抽真空；

S2、當晶體硅反應爐內溫度達到預設溫度后，輸入真空設定值，真空泵保持對緩沖罐抽真空；

S3、當緩沖罐內實際真空值小于真空設定值時，通氣機構向緩沖罐內輸送氣體，真空泵繼續對緩沖罐抽真空，直至緩沖罐內實際真空值達到真空設定值。

7.根據權利要求6所述的晶體硅反應爐真空控制方法，其特征在于：步驟S3之后還包括步驟S4：通入氣體，真空泵保持抽真空，且維持緩沖罐內實際真空值達到真空設定值。