[發明專利]移相器及天線

在審

• 申請號: 202111551162.0
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN114122649A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 唐粹偉;武杰;丁天倫;王瑛;賈皓程;李亮;李強強;車春城
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方傳感技術有限公司
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01Q3/36
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李迎亞;姜春咸

1.一種移相器，其特征在于，包括：相對設置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之間的介質層；其中，

所述第一基板包括：第一基底，設置在所述第一基底靠近所述介質層一側的第一電極層；

所述第二基板包括：第二基底，設置在所述第二基底靠近所述介質層一側的第二電極層；

所述第一電極層和所述第二電極層構成共面波導傳輸線；

所述第一電極層和所述第二電極層中的一者包括：主體結構，以及連接在所述主體結構長度方向上的分支結構；

當所述第一電極層包括主體結構和分支結構時，所述分支結構背離所述主體結構的一端與所述第二電極層在所述第一基底上的正投影重疊；

當所述第二電極層包括主體結構和分支結構時，所述分支結構背離所述主體結構的一端與所述第一電極層在所述第一基底上的正投影重疊。

2.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一電極層包括主體結構和分支結構；所述主體結構包括：沿其長度方向延伸、且相對設置第一側和第二側；所述分支結構包括：連接在所述主體結構第一側的第一分支結構，以及連接在所述主體結構第二側的第二分支結構；

所述第二電極層包括：間隔設置的第一參考電極和第二參考電極；其中，

所述主體結構在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一參考電極和所述第二參考電極在所述第一基底上的正投影之間；

所述第一參考電極與所述第一分支結構背離所述主體結構的一端，在所述第一基底的正投影重疊；

所述第二參考電極與所述第二分支結構背離所述主體結構的一端，在所述第一基底的正投影重疊。

3.根據權利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支結構和所述第二分支結構的數量均為多個；其中，

多個所述第一分支結構中的至少兩個和所述第一參考電極在所述第一基底上的正投影的交疊面積不同；和/或，

多個所述第二分支結構中的至少兩個和所述第二參考電極在所述第一基底上的正投影交疊面積不同。

4.根據權利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支結構和所述第二分支結構的數量均為多個；其中，

多個所述第一分支結構在所述主體結構的長度方向上的長度相同，至少兩個所述第一分支結構與所述第一參考電極在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主體結構的長度方向上的長度不同；和/或，

多個所述第二分支結構在所述主體結構的長度方向上的長度相同，至少兩個所述第二分支結構與所述第二參考電極在第一基底上的正投影，在垂直于所述主體結構的長度方向上的長度不同。

5.根據權利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支結構和所述第二分支結構的數量均為多個；其中，

多個所述第一分支結構在垂直于所述主體結構的長度方向上的長度相同，至少兩個所述第一分支結構與所述第一參考電極在第一基底上的正投影，在所述主體結構的長度方向上的長度不同；和/或，

多個所述第二分支結構在垂直于所述主體結構的長度方向上的長度相同，至少兩個所述第二分支結構與所述第二參考電極在所述第一基底上的正投影，在所述主體結構的長度方向上的長度不同。

6.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二電極層包括主體結構和分支結構；所述主體結構包括：第一主體結構和第二主體結構；所述分支結構包括：第一分支結構和第二分支結構；其中，

所述第一分支結構連接在所述第一主體結構長度方向、且靠近所述第二主體結構的一側；所述第二分支結構連接在所述第二主體結構長度方向、且靠近所述第一主體結構的一側；

所述第一電極層在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主體結構和所述第二主體結構在所述第一基底上的正投影之間；

所述第一電極層與所述第一分支結構背離所述第一主體結構的一端，以及與第二分支結構背離所述第二主體結構的一端，在所述第一基底上的正投影重疊。