[發(fā)明專利]一種顯示面板及其溫度調(diào)控方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111545475.5
• 申請(qǐng)日: 2021-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114300512A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉生澤;阮崇鵬;張春鵬;鮮于文旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;G05D23/19
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本發(fā)明涉及一種顯示面板及其溫度調(diào)控方法。本發(fā)明的顯示面板包括：基板、緩沖層、薄膜晶體管層、第一平坦層、光電探測(cè)器、第一遮光層以及第二遮光層。本發(fā)明通過(guò)在光電探測(cè)器的活性層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置第一遮光層，在光電探測(cè)器的活性層的側(cè)面設(shè)置第二遮光層，進(jìn)而防止光線進(jìn)入光電探測(cè)器的活性層內(nèi)部，使得光電探測(cè)器的活性層產(chǎn)生暗電流，利用光電探測(cè)器的暗電流與溫度的關(guān)系，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光電探測(cè)器的溫度，當(dāng)所述實(shí)時(shí)溫度值超出所述預(yù)設(shè)溫度范圍外時(shí)，執(zhí)行溫度調(diào)控，對(duì)光電探測(cè)器的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，用光電探測(cè)器的溫度代表顯示面板的溫度，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板的實(shí)時(shí)溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)與調(diào)控的技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其溫度調(diào)控方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示裝置(英文全稱：Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)又稱為有機(jī)電激光顯示裝置、有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體。OLED具有電壓需求低、省電效率高、反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡(jiǎn)單，成本低、廣視角、幾乎無(wú)窮高的對(duì)比度、較低耗電、極高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為當(dāng)今最重要的顯示技術(shù)之一。

目前，顯示面板的使用過(guò)程中，顯示面板的溫度會(huì)發(fā)生變化。而顯示面板的溫度過(guò)高會(huì)過(guò)低都會(huì)影響顯示面板的發(fā)光效果，導(dǎo)致顯示面板的使用壽命降低。目前，無(wú)法對(duì)顯示面板的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與調(diào)控。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種顯示面板及其溫度調(diào)控方法，其能夠解決現(xiàn)有顯示面板中存在的溫度無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與調(diào)控的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，其包括：基板；薄膜晶體管層，設(shè)置于所述基板上；第一平坦層，設(shè)置于所述薄膜晶體管層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；光電探測(cè)器，其包括：第一電極，設(shè)置于所述第一平坦層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；活性層，設(shè)置于所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；以及第二電極，設(shè)置于所述活性層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；第一遮光層，覆蓋于所述活性層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；以及第二遮光層，設(shè)置于所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上，所述第一遮光層在對(duì)應(yīng)于所述第一電極的位置處設(shè)有第一開(kāi)口；其中，所述活性層設(shè)置于所述第一開(kāi)口內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述顯示面板還包括：陽(yáng)極，設(shè)置于所述第一平坦層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；像素定義層，設(shè)置于所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上，所述像素定義層在對(duì)應(yīng)于所陽(yáng)極的位置處設(shè)有第二開(kāi)口；發(fā)光層，設(shè)置于所述第二開(kāi)口內(nèi)的所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；以及陰極，設(shè)置于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的表面上；其中，所述陽(yáng)極以及所述第一電極均為不透光電極。

進(jìn)一步的，所述第二電極為透光電極，所述第一遮光層設(shè)置于所述第二電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

進(jìn)一步的，所述第二電極為不透光電極，所述第二電極復(fù)用為所述第一遮光層。

進(jìn)一步的，所述陽(yáng)極設(shè)置于所述光電探測(cè)器遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

進(jìn)一步的，所述光電探測(cè)器在所述基板上的投影落入所述陽(yáng)極在所述基板上的投影內(nèi)，所述陽(yáng)極復(fù)用為所述第一遮光層。

進(jìn)一步的，所述陽(yáng)極與所述第一電極同層設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述陰極復(fù)用為所述第二電極。

進(jìn)一步的，所述像素定義層采用遮光材料組成，所述像素定義層復(fù)用為所述第二遮光層。

進(jìn)一步的，所述薄膜晶體管層包括：第一薄膜晶體管器件，其包括：第一源極，電連接至所述光電探測(cè)器的第一電極；以及第一漏極，電連接至一控制芯片。