[發(fā)明專利]一種陣列基板及顯示終端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111543684.6
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114265249B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高蓉
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個子像素單元，每一所述子像素單元包括走線區(qū)和位于所述走線區(qū)至少一側(cè)的像素電極區(qū)；

所述像素電極區(qū)包括分別位于所述走線區(qū)兩側(cè)的主電極區(qū)和副電極區(qū)，所述主電極區(qū)內(nèi)設(shè)置有主像素電極，所述副電極區(qū)內(nèi)設(shè)置有副像素電極；

所述陣列基板還包括設(shè)置于所述子像素單元兩側(cè)的數(shù)據(jù)線及位于相鄰兩條所述數(shù)據(jù)線之間的共享電極線；

其中，所述走線區(qū)包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一薄膜晶體管，所述第二區(qū)的開口率大于所述第一區(qū)的開口率，所述共享電極線將所述走線區(qū)分割成所述第一區(qū)和所述第二區(qū)，所述第二區(qū)的面積大于或等于所述第一區(qū)的面積；

所述第一區(qū)內(nèi)設(shè)置有與所述副像素電極連接的第三薄膜晶體管，所述共享電極線與所述第三薄膜晶體管連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極區(qū)向所述第二區(qū)延伸，以及，所述像素電極區(qū)包括與所述第二區(qū)重疊的延伸區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸區(qū)包括所述主電極區(qū)向所述第二區(qū)延伸的第一延伸區(qū)和所述副電極區(qū)向所述第二區(qū)延伸的第二延伸區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)內(nèi)設(shè)置有與所述主像素電極連接的第一薄膜晶體管以及與所述副像素電極連接的第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管并聯(lián)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管串聯(lián)，以及，所述副像素電極連接于所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管的串聯(lián)電路上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述主像素電極對應(yīng)的主像素電容、與所述副像素電極對應(yīng)的副像素電容，以及共同連接所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管的輔助電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述第一延伸區(qū)的寬度小于或等于所述第二延伸區(qū)的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多條掃描線，多條所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置；

其中，所述掃描線沿所述第一區(qū)與所述第二區(qū)的連線方向設(shè)置于所述走線區(qū)內(nèi)，以及，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述第二區(qū)內(nèi)的掃描線的寬度小于所述第一區(qū)內(nèi)的掃描線的寬度。

9.一種顯示終端，其特征在于，包括終端主體和如權(quán)利要求1至8任一項所述的陣列基板，所述終端主體和所述陣列基板組合為一體。