[發明專利]反應腔清潔方法

在審

• 申請號: 202111543131.0
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114284126A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 陳林;吳長明;馮大貴;王玉新;余鵬;樊士文
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種反應腔清潔方法。所述反應腔用于對各批次晶圓進行處理工藝，一批次晶圓中包括多組晶圓，每組晶圓中包括多片晶圓；所述反應腔對同一批次晶圓中各片晶圓的處理工藝相同，所述反應腔清潔方法包括：一批次晶圓進行所述處理工藝前，對所述反應腔進行聚合物預處理工藝，清除在前批次晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物；對一組晶圓中的各片晶圓進行所述處理工藝前，清除前片晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物；一組晶圓中的所有晶圓完成所述處理工藝后，清除前組所有晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物，并抽離掉落在所述反應腔中的聚合物。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種反應腔清潔方法。

背景技術

缺陷(Defect)是影響晶圓產品良率的一個重要因素，特別是在一些如淺溝槽隔離結構刻蝕或多晶硅刻蝕等前段工藝中，晶圓缺陷會導致圖形無法完全正確地傳遞到目標層上，進而對產品的電性和良率產生不利影響。

通常淺溝槽隔離結構刻蝕或多晶硅刻蝕等前段工藝在反應腔中進行，反應腔的腔壁上存在連通口，在反應腔工作時，一些反應氣體會流經該連通口，長此以往，在該連通口的口壁上會逐漸積累形成層層堆疊的聚合物，若該聚合物在后續晶圓加工工藝中掉落到晶圓表面，則會形成嚴重的晶圓缺陷。

而由于層層堆疊的聚合物其成分復雜，相關技術中的反應腔清潔方法難以將其清除干凈。

發明內容

本申請提供了一種反應腔清潔方法，可以解決相關技術難以完全清除反應腔連通孔中堆疊的聚合物的問題。

為了解決背景技術中所述的技術問題，本申請提供一種反應腔清潔方法，所述反應腔用于對各批次晶圓進行處理工藝，一批次晶圓中包括多組晶圓，每組晶圓中包括多片晶圓；

所述反應腔對同一批次晶圓中各片晶圓的處理工藝相同，所述反應腔清潔方法包括：

一批次晶圓進行所述處理工藝前，對所述反應腔進行聚合物預處理工藝，清除在前批次晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物；

對一組晶圓中的各片晶圓進行所述處理工藝前，清除前片晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物；

一組晶圓中的所有晶圓完成所述處理工藝后，清除前組所有晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物，并抽離掉落在所述反應腔中的聚合物。

可選地，所述一批次晶圓進行所述處理工藝前，對所述反應腔進行聚合物預處理工藝，清除在前批次晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物的步驟，包括：

判斷所述反應腔對所述批次晶圓的處理工藝，是否為刻蝕處理工藝；

確定所述反應腔對所述批次晶圓的處理工藝為刻蝕處理工藝后，在所述反應腔對所述批次晶圓進行所述刻蝕處理工藝前，使得所述反應腔進行聚合物預處理強化工藝，對所述反應腔中積累的聚合物進行清理。

可選地，所述聚合物預處理強化工藝包括以下依次進行的：

向所述反應腔中通入氧氣，所述氧氣與有機聚合反應，清除有機聚合物；

向所述反應腔中通入三氟化氮和氧氣的混合氣體，使得所述混合氣體與有機聚合物和無機聚合物反應，清除有機聚合物和無機聚合物反應。

可選地，所述對一組晶圓中的各片晶圓進行所述處理工藝前，清除前片晶圓處理工藝結束后積累在所述反應腔中的聚合物的步驟包括：

提高所述反應腔的工作功率；

向所述反應腔的連通孔中通入氧氣，清除前片晶圓處理工藝結束后，積累在反應腔連通孔中的有機聚合物；

向所述反應腔中通入三氟化氮氣體，清除積累在所述反應腔中的無機聚合物。