[發明專利]多裸片半導體器件的制造方法及相應的多裸片半導體器件

在審

• 申請號: 202111543014.4
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114649220A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: P·克雷馬
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31;H01L25/18;H01L25/065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃海鳴

1.一種方法，包括：

將半導體裸片組布置在金屬引線框的裸片焊盤上，所述半導體裸片組包括第一半導體裸片和第二半導體裸片，其中所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片在所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片的相對于所述裸片焊盤的前表面處各自具有接合焊盤組；

在所述第一半導體裸片、所述第二半導體裸片和圍繞所述裸片焊盤布置的所述金屬引線框的導電引線組上形成激光可激活材料層；

將激光輻射引導在所述激光可激活材料層上，以將激光激活線組圖案化，其中所述激光激活線組包括：

i)第一激光激活線子組，被配置為將所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片中的一個或多個半導體裸片的選定接合焊盤耦合到在所述導電引線組中的選定導電引線；

ii)第二激光激活線子組，被配置為將所述第一半導體裸片的選定接合焊盤耦合到所述第二半導體裸片的選定接合焊盤；以及

iii)第三激光激活線子組，被配置為將所述第二激光激活線子組中的每個激光激活線耦合到以下一項或多項：所述第一激光激活線子組中的至少一個激光激活線、以及所述導電引線組中的至少一個導電引線；

將第一金屬層沉積在所述第一激光激活線子組、所述第二激光激活線子組和所述第三激光激活線子組上，以提供相應的第一導電線子組、第二導電線子組和第三導電線子組；

通過電鍍將第二金屬層選擇性地沉積在所述第一導電線子組和所述第二導電線子組上、但不沉積在所述第三導電線子組上，以提供相應的第一導電軌道子組和第二導電軌道子組；以及

選擇性地移除所述第三導電線子組。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層通過無電鍍沉積。

3.根據權利要求2所述的方法，其中將所述第二金屬層選擇性地沉積在所述第一導電線子組和所述第二導電線子組上包括：在所述第三導電線子組中的所述導電線上提供掩膜材料，以防止在電鍍期間所述第二金屬層在所述第三導電線子組中的所述導電線上的電流沉積。

4.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地將所述第二金屬層沉積在所述第一導電線子組和第二導電線子組上包括：在所述第三導電線子組中的所述導電線上提供掩膜材料，以防止在電鍍期間所述第二金屬層在所述第三導電線子組的所述導電線上的電流沉積。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述掩膜材料具有在10μm到60μm的范圍內的厚度。

6.根據權利要求4所述的方法，其中在所述第三導電線子組中的所述導電線上提供所述掩膜材料包括將光刻膠材料光圖案化。

7.根據權利要求4所述的方法，其中在所述第三導電線子組中的所述導電線上提供所述掩膜材料包括選擇性地沉積抗蝕劑材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其中選擇性地沉積所述抗蝕劑材料包括通過噴墨打印進行沉積。

9.根據權利要求1所述的方法，其中沉積在所述第一激光激活線子組上、所述第二激光激活線子組和所述第三激光激活線子組上的所述第一金屬層具有在1μm至10μm范圍內的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其中沉積在所述第一激光激活線子組、所述第二激光激活線子組和所述第三激光激活線子組上的所述第一金屬層具有等于5μm的厚度。

11.根據權利要求1所述的方法，其中沉積在所述第一導電線子組和所述第二導電線子組上的所述第二金屬層具有在50μm到60μm的范圍內的厚度。

12.根據權利要求1所述的方法，其中沉積在所述第一導電線子組和所述第二導電線子組上的所述第二金屬層具有等于55μm的厚度。

13.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地移除在所述第三導電線子組的所述導電線包括蝕刻所述第三導電線子組的所述導電線。