[發明專利]全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 202111538563.2 | 申請日： | 2021-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN114220870A | 公開（公告）日： | 2022-03-22 |
| 發明（設計）人： | 徐妙玲;孫博韜;張晨;邱艷麗;修德琦;李天運 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人： | 梁棟 |
| 地址： | 102600 北京市大興區北京經濟技*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 全方位 肖特基 接觸 溝槽 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，包括：
第一摻雜類型的半導體本體，其上表面具有多條溝槽；
第二摻雜類型的多個注入區域，其被間隔地設置于所述溝槽的底部且延伸至所述半導體本體內；
金屬層，其與所述半導體本體的上表面、所述溝槽的側壁和所述溝槽的底壁接觸形成肖特基接觸。
2.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述注入區域的寬度與所述溝槽的寬度相同。
3.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述注入區域的寬度沿所述溝槽的深度方向逐漸增大。
4.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述注入區域的寬度大于所述溝槽的寬度。
5.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，位于同一所述溝槽內的所述注入區域等間距分布；位于相鄰兩個溝槽內的相鄰兩個注入區域交錯分布。
6.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述金屬層包括高勢壘金屬層和低勢壘金屬層；
所述高勢壘金屬層與所述溝槽的側壁和底壁接觸形成肖特基接觸；
所述低勢壘金屬層與所述半導體本體的上表面接觸形成肖特基接觸。
7.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述半導體本體包括高摻雜濃度的襯底和低摻雜濃度的外延層，所述襯底和所述外延層直接接觸。
8.根據權利要求1所述的全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件，其特征在于，所述半導體本體包括高摻雜濃度的襯底、低摻雜濃度的第一外延層和高摻雜濃度的第二外延層；
所述襯底和所述第一外延層直接接觸，所述第一外延層和所述第二外延層直接接觸。
9.一種全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
在高濃度第一摻雜類型的襯底上生長低濃度第一摻雜類型的外延層；
在外延層的上表面蝕刻形成多條溝槽；
在溝槽的底部間隔地注入第二摻雜類型的離子形成多個注入區域。
10.一種全方位肖特基接觸的溝槽型半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
在高濃度第一摻雜類型的襯底上生長低濃度第一摻雜類型的第一外延層；
在第一外延層的表面生長高濃度第一摻雜類型的第二外延層，或在第一外延層的表面注入第一摻雜類型的離子形成第二外延層；
在第二外延層的上表面蝕刻形成多條溝槽；
在溝槽的底部間隔地注入第二摻雜類型的離子形成多個注入區域。
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