[發(fā)明專利]掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備及方法

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• 申請日: 2021-12-15
• 公開（公告）號: CN114318246A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郎文昌;劉俊紅;徐峰;李多生;劉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州艾鈦科納米科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/54
• 代理公司: 溫州名創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33258
• 代理人: 朱海曉

1.一種掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，包括一個或一個以上數(shù)目的真空弧磁過濾裝置、弧源組件（2）和真空鍍膜腔室（3）；

所述真空弧磁過濾裝置包括具有至少一段彎管或折彎處的過濾管道（1），所述過濾管道（1）兩端分別為用于安裝弧源組件（2）的入口端和用于與真空鍍膜腔室（3）相連接的供離子離開過濾管道（1）的出口端，所述過濾管道（1）上設(shè)有用于導(dǎo)引離子運動方向使弧源組件（2）產(chǎn)生的離子沿過濾管道（1）的形狀移動至出口端并從出口端離開的線圈模組；

弧源組件（2）設(shè)置于過濾管道（1）的入口端；

真空鍍膜腔室（3）設(shè)置有一個或一個以上數(shù)目的可與真空弧磁過濾裝置出口端連接的法蘭口；設(shè)置有一組及以上數(shù)目的可沉積金屬或化合物的沉積源；設(shè)置有等離子清洗裝置；設(shè)置有可加載生產(chǎn)物料的轉(zhuǎn)動夾盤；設(shè)置有可加載偏壓的偏壓電源；

其特征在于：所述過濾管道（1）接近出口端處設(shè)置有掃描磁場發(fā)生裝置（5）；

所述掃描磁場發(fā)生裝置（5）包括鐵芯磁軛（501），所述鐵芯磁軛（501）上設(shè)有一對用于形成在過濾管道（1）出口端形成沿X軸方向的平行磁場的繞組線圈或設(shè)有兩對分別用于在過濾管道（1）出口端形成沿X軸方向的平行磁場和沿Y軸方向的平行磁場的獨立控制的繞組線圈。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述鐵芯磁軛（501）開設(shè)有一對相對設(shè)置的凹槽（502）使鐵芯磁軛（501）上形成兩個用于繞線形成繞組線圈的線圈骨架（503）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述鐵芯磁軛（501）包括四個沿同一圓周均勻分布的4個磁極（504）以及連接在相鄰磁極（504）之間的連接桿（505），所述磁極（504）或連接桿（505）上分別繞線形成繞組線圈。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述過濾管道（1）包括內(nèi)層殼體（101）和設(shè)置在內(nèi)層殼體（101）外的冷卻外殼體，所述冷卻外殼體內(nèi)設(shè)有冷卻水腔室（102），所述線圈模組和掃描磁場發(fā)生裝置（5）均固定在冷卻外殼體的外壁；所述冷卻外殼體包括內(nèi)外套接且兩者之間相隔一定間距的第一冷卻殼體（103）和第二冷卻殼體（104），所述第一冷卻殼體（103）和第二冷卻殼體（104）兩端之間分別通過入口端法蘭（105）和出口端法蘭（106）連接封閉形成冷卻水腔室（102）；所述第一冷卻殼體（103）和第二冷卻殼體（104）之間局部設(shè)有連接筋條（107）。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述過濾管道（1）包括接近入口端的第一直管區(qū)、接近出口端的第二直管區(qū)，所述第一直管區(qū)與第二直管區(qū)之間直接相連使過濾管道（1）上形成一處折彎處；和/或，所述過濾管道（1）包括接近入口端的第一直管區(qū)、接近出口端的第二直管區(qū)，通過至少一個中心線與第一直管區(qū)中心線角度以及第二直管區(qū)中心線角度均不同的過渡直管區(qū)和/或至少一個過渡彎管區(qū)連接過渡使過濾管道（1）上形成至少兩處的折彎處；所述過濾管道的彎管角度和/或多處折彎處夾角之和大于等于90度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述過濾管道內(nèi)的中心線角度不同的第一直管區(qū)與過渡直管區(qū)和/或過渡彎管區(qū)之間通過絕緣組件連接，靠近弧源處的第一直管區(qū)與過渡直管區(qū)和/或過渡彎管區(qū)與弧電源正極、腔殼同電位；靠近過濾管道出口端的第二直管區(qū)電位為懸浮電位。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描磁場導(dǎo)向沉積鍍膜的磁過濾真空沉積鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述線圈模組包括接近入口端的第一聚焦線圈（401）、接近出口端的第二聚焦線圈（403）以及設(shè)置在第一聚焦線圈（401）與第二聚焦線圈（403）之間的至少一個引導(dǎo)線圈（402）。