[發(fā)明專利]功率晶體管的結(jié)終端

在審

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• 申請日: 2021-12-15
• 公開（公告）號: CN114220842A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設計）人: 胡巍;劉鵬飛;覃榮震;王夢潔;肖強;羅海輝
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲中車時代半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

1.一種功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，包括介質(zhì)層、多個場限環(huán)組以及多個與所述場限環(huán)組對應的場板；

所述場板在所述介質(zhì)層的投影面積大于所述場限環(huán)組在所述介質(zhì)層的投影面積；

其中，所述場限環(huán)組包括主場限環(huán)和多個輔助場限環(huán)；

所述主場限環(huán)通過所述介質(zhì)層的接觸孔與對應的所述場板相連，所述輔助場限環(huán)通過所述介質(zhì)層與對應的所述場板隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，所述主場限環(huán)在所述介質(zhì)層的投影面積大于每個所述輔助場限環(huán)在所述介質(zhì)層的投影面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，多個所述輔助場限環(huán)的數(shù)目為2N+1；N為大于或等于1的整數(shù)；

所述主場限環(huán)與每個所述輔助場限環(huán)之間的距離相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，多個所述輔助場限環(huán)的數(shù)目為2N；N為大于或等于1的整數(shù)；

任意兩個輔助場限環(huán)形成一個輔助場限環(huán)對；

所述輔助場限環(huán)對以所述主場限環(huán)為中心對稱分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，每個輔助場限環(huán)對中兩個輔助場限環(huán)之間的距離相等或不相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，還包括場截止環(huán)和場截止板；

所述場截止環(huán)設置和所述場截止板均在所述介質(zhì)層的邊緣部位；

且所述場截止環(huán)與所述場截止板相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，在背離所述介質(zhì)層延伸的方向上，所述場截止環(huán)的長度大于所述主場限環(huán)的長度以及所述輔助場限環(huán)發(fā)長度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，所述介質(zhì)層包括氧化層、氮化硅層或氧化組合層；其中，所述氧化組合層由半絕緣多晶硅層與氧化層形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，所述場板為導電性場板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的結(jié)終端，其特征在于，所述導電性場板包括鋁場板、鋁合金場板或多晶硅場板。