[發(fā)明專利]電介質(zhì)和包括電介質(zhì)的多層電容器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111536246.7
• 申請(qǐng)日: 2021-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114639547A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金珍友;鄭鍾錫;劉正勳;徐春希;徐禎勖;柳東建;金東勳;金秀彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 薛丞丞;曹志博

本公開(kāi)提供了一種電介質(zhì)和包括電介質(zhì)的多層電容器。所述多層電容器包括：主體，包括堆疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)電極，且所述介電層介于所述多個(gè)內(nèi)電極之間；以及外電極，設(shè)置在所述主體的外表面上并且分別連接到所述內(nèi)電極。所述多個(gè)介電層包括由式BaM1_aTi_1?xSn_xM2_bO₃(0.008≤x≤0.05、0.006≤a≤0.03并且0.0006≤b0.006)表示的電介質(zhì)，其中，M1包括稀土元素，并且M2包括Mn和V中的至少一種。

本申請(qǐng)要求于2020年12月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2020-0176581號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)和于2021年6月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2021-0074123號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種電介質(zhì)和包括電介質(zhì)的多層電容器。

背景技術(shù)

電容器是可在其中存儲(chǔ)電力的元件，并且基本上，當(dāng)在兩個(gè)電極彼此面對(duì)設(shè)置的狀態(tài)下向電容器施加電壓時(shí)，在各個(gè)電極中累積電荷。在向電容器施加直流(DC)電壓的情況下，在累積電荷的同時(shí)電流在電容器中流動(dòng)，但是當(dāng)電荷的累積完成時(shí)，電流不在電容器中流動(dòng)。此外，在向電容器施加交流(AC)電壓的情況下，AC電流在電容器中流動(dòng)，同時(shí)電極的極性交替。

這樣的電容器可根據(jù)設(shè)置在電極之間的絕緣體的類型而被分類為諸如以下的若干種電容器：其中電極利用鋁形成并且薄氧化物層設(shè)置在利用鋁形成的電極之間的鋁電解電容器、其中鉭用作電極材料的鉭電容器、其中在電極之間使用諸如鈦酸鋇的具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)的陶瓷電容器、其中在多層結(jié)構(gòu)中使用具有高介電常數(shù)的陶瓷作為設(shè)置在電極之間的電介質(zhì)的多層陶瓷電容器(MLCC)、以及其中聚苯乙烯薄膜用作設(shè)置在電極之間的電介質(zhì)的薄膜電容器。

此外，由于多層陶瓷電容器具有優(yōu)異的溫度特性和頻率特性，并且可實(shí)現(xiàn)為具有小尺寸，因此多層陶瓷電容器最近已經(jīng)主要用于諸如高頻電路的各種領(lǐng)域。最近，已經(jīng)繼續(xù)嘗試實(shí)現(xiàn)具有較小尺寸的多層陶瓷電容器，并且為此目的，已經(jīng)減小了介電層和內(nèi)電極的厚度。此外，已經(jīng)進(jìn)行了對(duì)用于實(shí)現(xiàn)具有高電容和優(yōu)異可靠性的多層陶瓷電容器的介電材料的研究。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一方面可提供一種由于使用具有高介電常數(shù)和優(yōu)異可靠性的介電材料而具有改進(jìn)性能的多層電容器。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種多層電容器可包括：主體，包括堆疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)電極，且所述介電層介于所述多個(gè)內(nèi)電極之間；以及外電極，設(shè)置在所述主體的外表面上并且分別連接到所述內(nèi)電極。所述多個(gè)介電層可包括由式BaM1_aTi_1-xSn_xM2_bO₃(0.008≤x≤0.05、0.006≤a≤0.03并且0.0006≤b0.006)表示的電介質(zhì)，其中，M1包括稀土元素，并且M2包括Mn和V中的至少一種。

所述稀土元素可包括Dy。

相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)可包括含量為0.006摩爾至0.012摩爾的Dy。

M2可包括Mn和V兩者，并且相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)可包括含量為0.0003摩爾至0.0035摩爾的Mn，并且相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)可包括含量為0.0003摩爾至0.0025摩爾的V。

相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)還可包括含量為大于等于0.003摩爾且小于0.012摩爾的Al成分。

相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)還可包括含量為大于等于0.001摩爾且小于0.012摩爾的Mg成分。

相對(duì)于1摩爾的Ba，所述電介質(zhì)還可包括含量為大于等于0.03摩爾的Si成分。