[發明專利]一種氧化銦鈦釔粉體及其制備方法

在審

• 申請號: 202111536234.4
• 申請日: 2021-12-15
• 公開（公告）號: CN114031372A
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 王奇峰;邵學亮;李開杰;張來穩
• 申請（專利權）人: 先導薄膜材料（廣東）有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/626
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;郝傳鑫

本發明公開了一種氧化銦鈦釔粉體及其制備方法，屬于銦鈦釔氧化物的制備領域。所述氧化銦鈦釔粉體的化學式為In_1?x?yTi_xY_yO_1.5+0.5x，其中，x＝0.001?0.2、y＝0.001?0.2。本發明氧化銦鈦釔粉體的制備方法克服了加入大顆粒稀土金屬導致的成分不均一的問題，最終獲得粒徑分布均勻缺成分均一的氧化銦鈦釔粉體，該氧化銦鈦釔粉體可以用于制備高密度、組織均勻及光電特異性優異的氧化銦鈦釔靶材。

技術領域

本發明涉及一種氧化銦鈦釔粉體及其制備方法，屬于銦鈦釔氧化物的制備領域。

背景技術

由于透明導電薄膜可見光區域高透過率，低電阻率的獨特光電學特性，被廣泛應用于平板顯示器、太陽能電池等光電領域。隨著科技新月異的發展，對光電薄膜的需求逐漸增加，對它的性能也提出更高的要求。為了更有效地制備具有理想性能的材料，必須深入了解材料性能與相應的工藝技術的關系，這對于改進材料性能，提高生產率，降低成本是至關重要的。

粉體制備是ITO靶材制備過程的第一個關鍵工序。目前ITO靶材所用的粉體通常存在粒徑分布不均勻、穩定性差、雜質含量高、形狀不規則等問題，這給粉體的性能保證以及后續的應用帶來極大困難。因此，本發明在現有技術的基礎上，對氧化銦粉體的制備方法進行優化，克服了加入大顆粒稀土金屬導致的成分不均一的問題，最終獲得粒徑分布均勻且成分均一的氧化銦鈦釔粉體。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供一種氧化銦鈦釔粉體及其制備方法，本發明氧化銦鈦釔粉體的制備方法克服了加入大顆粒稀土金屬導致的成分不均一的問題，最終獲得粒徑分布均勻且成分均一的氧化銦鈦釔粉體，該氧化銦鈦釔粉體可以用于制備高密度、組織均勻及光電特異性優異的氧化銦鈦釔靶材。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

第一方面，提供一種氧化銦鈦釔粉體，所述氧化銦鈦釔粉體的化學式為In_1-x-yTi_xY_yO_1.5+0.5x，其中，x＝0.001-0.2、y＝0.001-0.2。

在氧化銦中摻雜鈦和釔，由于鈦和釔的原子半徑小，摻雜不會引起氧化銦粒徑變大，成分不均一的問題。本發明所制備的氧化銦鈦釔粉體的粒徑均勻成分均一，可以用于制備高密度、組織均勻及光電特異性優異的氧化銦鈦釔靶材。

第二方面，提供一種氧化銦鈦釔粉體的制備方法，包括以下步驟：

(1)(1)將氧化鈦和第一分散劑依次加入溶劑中，進行預分散，得到預分散液1，將預分散液1進行濕法研磨，得到漿料一；

(2)向步驟(1)所得漿料一中加入氧化釔和第二分散劑，進行預分散，得到預分散液2，將預分散液2進行濕法研磨；得到漿料二；

(3)向步驟(2)所得漿料二中加入氧化銦和第三分散劑，進行預分散，得到預分散液3，將預分散液3進行濕法研磨；得到漿料三；

(4)向步驟(3)所得漿料三中加入粘結劑，進行預分散，得到預分散液4，將預分散液4進行濕法研磨；得到漿料四；

(5)將步驟(4)所得漿料四進行噴霧造粒、混料和篩分，得到氧化銦鈦釔粉體。

在氧化銦中摻雜鈦和釔，需要先將氧化鈦和氧化釔先進行研磨，得到粒徑小的氧化鈦和氧化釔后，再將其和氧化銦混合，進行研磨，得到氧化銦鈦釔粉體。氧化物的研磨順序取決于鈦、釔和氧化銦摻雜的難易程度，同時由于鈦、釔的原子半徑相差較大，不能同時進行研磨。