[發(fā)明專利]包括衰減介電材料的高頻器件

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• 申請日: 2021-12-15
• 公開（公告）號: CN114639661A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: P·布倫納;W·哈特納;J·W·凱薩;S·卡里姆
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/52;H01Q1/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 閆昊

1.一種器件，包括：

高頻芯片；和

介電材料，布置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間，所述第一區(qū)域輻射在1GHz和1THz之間的第一頻率范圍中的電磁干擾信號，所述第二區(qū)域接收所述電磁干擾信號，

其中所述介電材料的衰減至少在所述第一頻率范圍的子范圍內(nèi)大于5dB/cm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述介電材料被配置為提供以下至少一項：散射所述電磁干擾信號或吸收所述電磁干擾信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其中所述介電材料在第二頻率范圍內(nèi)具有的衰減比在所述第一頻率范圍內(nèi)小至少5dB/cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其中所述介電材料在第二頻率范圍內(nèi)具有的衰減比在所述第一頻率范圍內(nèi)小至少5dB/cm，并且在第三頻率范圍內(nèi)具有的衰減比在所述第一頻率范圍內(nèi)小至少5dB/cm。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中對于低于1GHz的頻率，所述介電材料的衰減小于0.5dB/cm。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述第一區(qū)域包括以下至少一項：電信號路由路徑、電源或接地供應(yīng)分配路徑、集成電路的一部分、電互連元件、天線。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括碳納米管或多孔碳中的至少一項。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括鐵氧體納米顆粒，所述鐵氧體納米顆粒包括導(dǎo)電納米顆粒。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括具有法布里-珀羅特性的多層介電片。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括雷達輻射吸收材料。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括嵌入聚合物基質(zhì)中的鐵電顆粒或鐵磁。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料包括以下至少一項：調(diào)諧超材料、或調(diào)諧電磁帶隙材料、或電磁帶隙結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，進一步包括：

封裝材料，其中所述高頻芯片至少部分地封裝在所述封裝材料中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述介電材料是所述封裝材料的一部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的器件，其中所述介電材料布置在所述高頻芯片和所述封裝材料之間。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料在所述高頻芯片的橫向方向上至少在第一高頻電路元件和第二高頻電路元件之間延伸。

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述器件被配置為電耦合和機械耦合到印刷電路板，其中所述介電材料布置在所述器件和所述印刷電路板之間的間隙中。

18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，進一步包括：

印刷電路板，其中所述介電材料布置在所述印刷電路板的內(nèi)部。

19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的器件，其中所述介電材料布置在所述高頻芯片的BEOL堆疊中。