[發明專利]一種二維CuCrS2 有效
| 申請號： | 202111535579.8 | 申請日： | 2021-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN114197036B | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發明（設計）人： | 周興;許翔;翟天佑 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/10;C30B25/14;C30B29/46;C30B29/64 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;尚威 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二維 cucrs base sub | ||
1.一種二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將銅粉、鉻粉和氯化鈉混合作為金屬源，且銅粉、鉻粉、氯化鈉的質量比為1:1:1～5:5:1；將金屬源放置在中心溫區，并將襯底倒扣在金屬源上方；將硫粉放置在中心溫區上游，對其單獨加熱生成硫蒸氣，并通過載氣將硫蒸氣帶入預熱后的中心溫區，同時控制中心溫區溫度為800℃～950℃，反應時間為5min～30min，使金屬源與硫蒸氣充分反應，生成二維CuCrS2晶體材料。
2.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，中心溫區溫度為850℃～900℃，反應時間為5min～15min。
3.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，所述載氣的流量為40sccm～60sccm。
4.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，所述硫粉位于中心溫區上游17 cm～19 cm處。
5.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，所述硫粉用量為200 mg～500 mg。
6.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，通過加熱套對硫源單獨加熱，當中心溫區溫度升至目標溫度時開啟加熱套，加熱套溫度設置為200℃。
7.如權利要求1所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，所述襯底直接倒扣在金屬源上方。
8.如權利要求1-7任一項所述的二維CuCrS2晶體材料的制備方法，其特征在于，所述襯底為氟晶云母片，所述載氣為高純氬氣。
9.一種二維CuCrS2晶體材料，其特征在于，采用如權利要求1-8任一項所述的方法制備而成。
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