[發明專利]開放式溫場

在審

• 申請號: 202111531912.8
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN114214721A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 王宇;官偉明;梁振興
• 申請（專利權）人: 眉山博雅新材料股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/14;C30B29/22
• 代理公司: 成都七星天知識產權代理有限公司 51253
• 代理人: 嚴芳芳

本說明書實施例提供一種溫場裝置，該溫場裝置放置于晶體生長爐內，且位于晶體生長爐內的感應線圈中；溫場裝置包括底板、第一蓋板、第一筒、第二筒以及填充體；底板設置于溫場裝置底部，覆蓋于第一筒一開口端；其中，第一蓋板設置于溫場裝置頂部，覆蓋于第一筒另一開口端；第二筒設置于第一筒內部；填充體填充于第二筒內部和第二筒和第一筒之間的空隙中；位于第二筒內部的填充體至少用于支撐堝并包覆堝的至少一部分。

分案說明

本申請是針對申請日為2019年08月21日、申請號為201980051051.8、發明名稱為“開放式溫場”的中國申請提出的分案申請。

技術領域

本申請涉及晶體生長領域，特別涉及一種用于晶體生長的溫場裝置和晶體生長方法。

背景技術

隨著科學技術的高速發展，各領域對單晶晶體材料的質量要求越來越高。生產大直徑晶體可以提高晶體產品的光學均勻性，也有利于提高生產效率。大尺寸高質量的單晶生長有依賴于設備長期運行的穩定性、生產用水用電供應的可靠性及適合大尺寸晶體生長的溫場裝置和生長工藝。目前主要的單晶材料的生長方法之一為上提拉法，在晶體上提拉法生長過程中，溫場的優劣對單晶生長的質量有很大的影響。合適的溫場能長出高質量的單晶，不好的溫場容易使單晶變多晶或者無法引晶。有些溫場雖然能長出單晶，但質量很差，有位錯和其它結構缺陷。因此合適的溫場是生長高質量晶體的前提。

發明內容

本申請實施例之一提供一種溫場裝置，包括底板、蓋板、筒以及填充體。所述底板設置于所述溫場裝置底部，覆蓋于所述筒一開口端。所述蓋板設置于所述溫場裝置頂部，覆蓋于所述筒另一開口端。所述填充體填充于所述筒內部。

本申請實施例之一提供一種溫場裝置，包括底板、第一蓋板、第一筒、第二筒以及填充體。所述底板設置于所述溫場裝置底部，覆蓋于所述第一筒一開口端。所述第一蓋板設置于所述溫場裝置頂部，覆蓋于所述第一筒另一開口端。所述第二筒設置于所述第一筒內部。所述填充體填充于所述第二筒內部，和/或所述第二筒和所述第一筒之間的空隙中。

在一些實施例中，位于所述第二筒內部的填充體至少用于支撐堝并包覆所述堝的至少一部分。

在一些實施例中，所述堝的上沿高出位于所述第二筒內部的填充體的填充高度。

在一些實施例中，所述填充體的填充高度導致其支撐的堝的上沿與位于所述溫場裝置外的感應線圈上沿的垂直間距為-0至“-”表示所述堝的上沿低于所述感應線圈上沿，“+”表示所述堝的上沿高于所述感應線圈上沿。

在一些實施例中，所述填充體為顆粒狀，磚狀，或氈狀，由耐高溫材料制成。

在一些實施例中，所述填充體為以下之中的一種或多種：鋯砂、氧化鋯顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鋯氈、氧化鋯磚、和氧化鋁磚。

在一些實施例中，所述填充體的粒度為5-200目；或者所述填充體的粒度為20-180目；或者所述填充體的粒度為50-150目；或者所述填充體的粒度為80-120目。

在一些實施例中，所述第一筒為石英管，或剛玉管，或由耐高溫材料制成。

在一些實施例中，所述第一筒的厚度為1-15mm，高度為600-1600mm。

在一些實施例中，所述第一蓋板包括至少兩個第一通孔，所述第一通孔用于通過氣體。

在一些實施例中，所述溫場裝置進一步包括第二蓋板，所述第二蓋板設置于所述第一筒內部，覆蓋于所述第二筒靠近所述第一蓋板的開口端；所述第二蓋板上對應于第一蓋板通孔的位置處開亦設有通孔。

在一些實施例中，所述第二蓋板為氧化鋁板或氧化鋯板，或由耐高溫材料制成。