[發明專利]嵌埋電感結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202111530043.7
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114420419B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 陳先明;徐小偉;黃高;黃本霞;馮進東
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F27/28;H01F27/30;H01F41/04
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

1.一種嵌埋電感結構的制造方法，包括如下步驟：

(a)準備臨時承載板；

(b)在所述臨時承載板的至少一側上制備第一導電線圈層以及位于所述第一導電線圈層上的第一導電銅柱層，其中所述第一導電線圈層包括第一導電線路和至少一個第一導電線圈，所述第一導電銅柱層分別與所述第一導電線路和所述第一導電線圈連通；所述第一導電銅柱層包括多個導電銅柱；

(c)在所述第一導電線圈層和所述第一導電銅柱層上形成第一絕緣層，并減薄所述第一絕緣層以暴露所述第一導電銅柱層的端部；

(d)重復步驟(b)和步驟(c)形成N層導電線圈層、N-1層導電銅柱層和N層絕緣層，其中N≥2；

(e)移除所述臨時承載板；

(f)在N層導電線圈中形成電感腔體和外露于所述電感腔體內壁的電感線圈；所述電感線圈由多層導電線圈和位于相鄰導電線圈之間的導電銅柱構成；

(g)在所述電感腔體內填充與所述電感線圈直接接觸的磁體形成電感，并減薄所述磁體以使所述磁體的端部與所述電感線圈平齊；

(h)在所述N層絕緣層的上下表面上分別制備第N導電銅柱層和第N+1導電銅柱層，所述第N導電銅柱層分別與所述電感線圈和第N導電線路連通，所述第N+1導電銅柱層分別與所述電感線圈和所述第一導電線路連通；

(i)在所述第N導電銅柱層和所述第N+1導電銅柱層上分別形成第N+1絕緣層和第N+2絕緣層，減薄所述第N+1絕緣層和所述第N+2絕緣層以分別暴露所述第N導電銅柱層和所述第N+1導電銅柱層的端部；

(j)分別在所述第N+1絕緣層和所述第N+2絕緣層上制作第N+1導電線路和第N+2導電線路，所述第N+1導電線路通過所述第N導電銅柱層與第N導電線路導通連接，所述第N+2導電線路通過所述第N+1導電銅柱層與所述第一導電線路導通連接。

2.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中形成所述電感線圈后，所述N層導電線圈分別呈帶有缺口的環狀，且所述N層導電線圈分別在缺口處斷開。

3.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中位于各導電線圈上下兩側的導電銅柱在縱向上的位置不同。

4.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中所述磁體包括絕緣性磁體。

5.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中所述臨時承載板是表面施加有分離層的金屬板或玻璃基板，或者所述臨時承載板是犧牲銅箔或表面覆銅板。

6.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中步驟(b)包括：

(b1)在所述臨時承載板的至少一側上形成第一金屬種子層；

(b2)在所述第一金屬種子層上施加第一光刻膠層，曝光顯影所述第一光刻膠層形成第一特征圖案；

(b3)在所述第一特征圖案中鍍銅形成第一導電線圈層，其中所述第一導電線圈層包括第一導電線路和至少一個第一導電線圈；

(b4)移除所述第一光刻膠層，蝕刻暴露的第一金屬種子層；

(b5)在所述第一導電線圈層上施加第二光刻膠層，曝光顯影所述第二光刻膠層形成第二特征圖案；

(b6)在所述第二特征圖案中鍍銅形成第一導電銅柱層，所述第一導電銅柱層分別與所述第一導電線路和所述第一導電線圈連通；

(b7)移除所述第二光刻膠層。

7.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中N層導電線圈的橫截面為完整的圓形、橢圓或多邊形。

8.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中N層導電線圈的橫截面為邊緣處帶有缺口的圓形、橢圓或多邊形。

9.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中N層導電線圈的橫截面為外側邊緣處帶有缺口的環形。

10.根據權利要求1所述的嵌埋電感結構的制造方法，其中所述絕緣層包括聚酰亞胺、環氧樹脂、雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂、聚苯醚、聚丙烯酸酯、半固化片、膜狀有機樹脂或它們的組合。