[發明專利]CIS芯片的封裝方法在審
| 申請號: | 202111528175.6 | 申請日: | 2021-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN114256279A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 蔡小虎;溫建新;葉紅波;史海軍 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司;上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;B29C39/26;B29C39/10 |
| 代理公司: | 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黃海霞 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cis 芯片 封裝 方法 | ||
本發明提供了一種CIS芯片的封裝方法,包括將CIS芯片貼裝于基板上;將蓋板貼于CIS芯片的感光區域;通過鍵合絲實現焊盤與引腳的連接;將模具蓋在基板上,并使CIS芯片以及引腳均置于模位內;向模位內注膠或塑封料,以覆蓋位于模位內的裸露的芯片位表面、鍵合絲以及裸露的CIS芯片表面;去除模具,然后進行揭膜和撿片,以完成對CIS芯片的封裝,基板呈平板狀,去除了臺支結構,并且將模具蓋在基板上,并使CIS芯片以及引腳均置于模位內,向模位內注膠或塑封料,以覆蓋位于模位內的裸露的芯片位表面、鍵合絲以及裸露的CIS芯片表面,去除了空腔,提高了整體的結合力,芯片位的邊界形成有減薄痕,無需進行厚道切割,從而改善了翹曲。
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術領域,尤其涉及一種CIS芯片的封裝方法。
背景技術
圖1為現有技術中封裝結構的示意圖。圖2為現有技術的封裝流程圖。如圖1所示,管殼100一般為框架形,芯片在封裝時,可通過銀漿連接在管殼100內的底面位置上。在芯片102表面四周的邊緣位置上設有多個焊盤,同時在管殼100內底面四周的邊緣位置上環繞芯片102對應設置有多個引腳101。通過鍵合線103將焊盤和對應引腳101進行連接,玻璃蓋板104蓋于所述管殼100上。
如圖2所示,現有的封裝流程包括芯片減薄、劃片、裝片、鍵合、玻璃封裝等環節,其應用如圖1所述的管殼100,并最終形成如圖1所示封裝結構。
上述封裝技術中,框架中具有臺支、空腔等,整體結合力差,鍵合絲懸空容易斷裂,并且若采用單獨管殼單價高,開模費較大,若采用長條基板則切割應力大,容易造成翹曲,會影響后續表面貼裝技術(Surface Mounted Technology,SMT)進程。
因此,有必要提供一種新型的CIS芯片的封裝方法以解決現有技術中存在的上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種CIS芯片的封裝方法,減少空腔,提高整體結合力,并且無需進行厚道切割,從而改善翹曲。
為實現上述目的,本發明的所述CIS芯片的封裝方法,包括:
提供CIS芯片、蓋板、基板和模具,所述CIS芯片上形成有多個焊盤,所述基板呈平板狀,且所述基板上具有至少一個與所述CIS芯片相適配的芯片位,所述芯片位的邊界形成有減薄痕,所述芯片位上形成有與所述焊盤一一對應的引腳,所述模具呈平板狀,且所述模具上形成有貫穿所述模具的模位,所述模位的形狀與所述芯片位相適配,所述模具的厚度大于所述CIS芯片的厚度;
將所述CIS芯片貼裝于所述基板上;
將所述蓋板貼于所述CIS芯片的感光區域;
通過鍵合絲實現所述焊盤與所述引腳的連接;
將所述模具蓋在所述基板上,并使所述CIS芯片以及引腳均置于所述模位內;
向所述模位內注膠或塑封料,以覆蓋位于所述模位內的裸露的芯片位表面、所述鍵合絲以及裸露的CIS芯片表面;
去除所述模具,然后進行揭膜和撿片,以完成對所述CIS芯片的封裝。
所述封裝方法的有益效果在于:所述基板呈平板狀,去除了臺支結構,并且將所述模具蓋在所述基板上,并使所述CIS芯片以及引腳均置于所述模位內,向所述模位內注膠或塑封料,以覆蓋位于所述模位內的裸露的芯片位表面、所述鍵合絲以及裸露的CIS芯片表面,去除了空腔,提高了整體的結合力,所述芯片位的邊界形成有減薄痕,無需進行厚道切割,從而改善了翹曲。
可選地,所述芯片位上設有與所述CIS芯片相適配的芯片粘貼位,所述引腳位于所述芯片粘貼位之外,所述將所述CIS芯片貼于所述基板上,包括:在所述芯片粘貼位上點膠,然后將所述CIS芯片覆蓋于所述芯片粘貼位上。其有益效果在于:便于精準固定所述CIS芯片的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





