[發明專利]一種功率電極及等離子體處理設備

在審

• 申請號: 202111523567.3
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN114203513A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 姜崴;蘇欣;談太德;張賽謙;楊艷
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李帶娣

1.一種功率電極，用于等離子體設備，其特征在于，包括安裝部和主體部，所述安裝部用于與所述等離子體設備的反應室的腔體壁固定；所述主體部位于所述反應室的內腔，所述主體部具有使用時朝向所述等離子設備的接地電極的第一表面，所述第一表面包括中心區域和位于所述中心區域外圍的外圍區域，所述中心區域突出于所述外圍區域。

2.如權利要求1所述的功率電極，其特征在于，所述主體部具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第二凹槽的外圍，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度，所述中心區域包括所述第二凹槽的底壁外表面，所述外圍區域包括所述第一凹槽的底壁外表面。

3.如權利要求2所述的功率電極，其特征在于，所述第一凹槽的外周壁沿徑向具有預定厚度，所述安裝部位于所述第一凹槽的外周壁，所述安裝部上設置有連接通孔。

4.如權利要求2所述的功率電極，其特征在于，所述第二凹槽的底壁設置有若干通氣孔。

5.如權利要求1至4任一項所述的功率電極，其特征在于，所述中心區域的直徑為待加工晶圓直徑的0.8至1.3倍。

6.如權利要求1至4任一項所述的功率電極，其特征在于，所述中心區域為平面或曲面；

或者/和，所述外圍區域為平面或者曲面或者斜面。

7.一種等離子體設備，包括反應室和基座，其特征在于，還包括權利要求1至6任一項所述的功率電極，所述功率電極的中心區域與所述基座的載物臺相對，并且所述功率電極的中心區域在所述等離子體設備橫截面內的投影覆蓋所述載物臺的投影。

8.如權利要求7所述的等離子體設備，其特征在于，所述中心區域與所述載物臺平行設置以形成等間距的極間距。

9.如權利要求7所述的等離子體設備，其特征在于，還包括邊緣環，與所述載物臺同心設置并套設于所述載物臺的外圍，所述邊緣環與所述載物臺和所述晶圓之間均具有間隙。

10.如權利要求9所述的等離子體設備，其特征在于，所述邊緣環朝向功率電極的端壁的內緣區設置有凹槽，所述凹槽的底壁低于所述載物臺，所述凹槽的周向側壁能夠與被加工的晶圓周向形成間隙配合，所述凹槽的底壁為平面，所述凹槽的周壁為圓柱面或者斜面。