[發明專利]一種半導體加工設備及其管路結構

在審

• 申請號: 202111523566.9
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN114203512A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 談太德;蘇欣;姜崴;劉婧婧
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陜芳芳

本發明公開了一種半導體加工設備及其管路結構，該管路結構包括接管部件，所述接管部件具有一個用于與半導體加工設備的等離子發生器連接的入口端部，所述接管部件還具有至少兩個出口端部；所述接管部件在所述入口端部和每個所述出口端部之間形成有流通通路，各所述流通通路相互分隔開；所述出口端部連接有用于與半導體加工設備的反應腔連接的支線管路。該管路結構的設置可在不影響清潔的基礎上，減少沉積時工藝氣體返流時流向其他反應腔的機會，并且結構簡單易維護。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，特別是涉及一種半導體加工設備及其管路結構。

背景技術

在半導體加工設備中，通常使用等離子發生器(RPS)來解離清洗氣體以對薄膜沉積后的反應腔室環境進行清潔，以便于對下一批晶圓進行沉積操作。

為控制成本，量產型設備通常是采用單個RPS對多個反應腔進行清潔，即多個反應腔通過一分多管件與單個RPS連通，并且管路結構設置上，各個反應腔的工藝氣體的輸送管路也會與該一分多管件連通，具體的，在反應腔前端的與一分多管件連接的分支管路的合適位置開設工藝氣體的接口，這樣就導致沉積時，工藝氣體可能會通過分支管路向一分多管件方向返流，從而通過該一分多管路流向其他反應腔，造成多個反應腔內的晶圓的薄膜厚度存在波動。

目前，為了阻止工藝氣體在一分多管件中竄流導致的晶圓膜厚不一的情況，通常在與每個反應站連接的分支管路上，靠近工藝氣體接口處前端的位置增加閥門來截斷，這樣又會帶來多個閥門維護的高成本問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種半導體加工設備及其管路結構，該管路結構的設置可在不影響清潔的基礎上，減少沉積時工藝氣體返流時流向其他反應腔的機會，并且結構簡單易維護。

為解決上述技術問題，本發明提供一種半導體加工設備的管路結構，包括接管部件，所述接管部件具有一個用于與半導體加工設備的等離子發生器連接的入口端部，所述接管部件還具有至少兩個出口端部；所述接管部件在所述入口端部和每個所述出口端部之間形成有流通通路，各所述流通通路相互分隔開；所述出口端部連接有用于與半導體加工設備的反應腔連接的支線管路。

該發明提供的半導體加工設備的管路結構，將接管部件內用于與各反應腔連接的流通通路相互分隔開，這樣，在沉積等工藝時，通向反應腔的工藝氣體即便存在返流現象，在接管部件內部也因流通通路之間的分隔而減少了流向其他反應腔的機會，可確保各反應腔內晶圓的加工質量，同時只需在接管部件內部設置隔離流通通路的結構，避免了在各反應腔前端增設閥門，維護方便，成本低。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，所述流通通路在所述入口端部形成有進口部；還包括閥門部件，所述閥門部件與所述入口端部連接，所述閥門部件能夠在關閉所述入口端部的第一位置和打開所述入口端部的第二位置之間切換，所述閥門部件處于所述第一位置，各所述進口部處于關閉狀態。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，所述閥門部件包括密封板和控制件，所述密封板用于關閉或打開所述入口端部，所述控制件用于控制所述密封板所述第一位置和所述第二位置之間切換。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，各所述進口部均設有密封圈，所述密封板處于所述第一位置，所述密封板壓抵所述密封圈。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，所述閥門部件與所述接管部件的所述入口端部之間設有密封圈。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，各所述流通通路相對所述接管部件的中心軸線結構對稱。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，所述接管部件內設有一個以上的擋板，各所述流通通路之間通過所述擋板分隔。

如上所述的半導體加工設備的管路結構，所述流通通路包括相對靠近所述入口端部的第一通路段和相對靠近所述出口端部的第二通路段；所述第一通路段的軸線與所述第二通路段的軸線呈設定角度設置；所述擋板的延伸方向與所述第一通路段的軸線方向平行。