[發(fā)明專利]具有內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111521843.2
• 申請(qǐng)日: 2021-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113921615B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫博韜;張清純;徐妙玲;黎磊;張晨;李天運(yùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司;復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 耿苑

1.一種具有內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)表面上的外延層，所述外延層具有背離所述半導(dǎo)體襯底的第一表面和朝向所述半導(dǎo)體襯底的第二表面；所述第一表面包括在第一方向上依次排布的元胞區(qū)、過(guò)渡區(qū)和終端區(qū)；所述第一方向平行于所述半導(dǎo)體襯底；

設(shè)置在所述第一表面上的氧化層，所述氧化層位于所述過(guò)渡區(qū)；所述氧化層包括在所述第一方向上依次設(shè)置的第一柵氧化層和場(chǎng)氧化層；

設(shè)置在所述第一表面內(nèi)的主結(jié)區(qū)，所述主結(jié)區(qū)包括第一主結(jié)區(qū)和第二主結(jié)區(qū)，所述第一主結(jié)區(qū)和所述第二主結(jié)區(qū)之間具有隔離結(jié)構(gòu)；

還包括：設(shè)置在所述第一表面上的第一源極和第二源極；所述第一源極位于所述過(guò)渡區(qū)，且位于所述第一柵氧化層背離所述終端區(qū)的一側(cè)，與所述第一主結(jié)區(qū)接觸；所述第二源極位于所述過(guò)渡區(qū)，且位于所述場(chǎng)氧化層背離所述元胞區(qū)的一側(cè)，與所述第二主結(jié)區(qū)接觸；所述第一源極的尺寸小于所述第二源極的尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵氧化層的厚度小于所述場(chǎng)氧化層的厚度；

在垂直于所述半導(dǎo)體襯底的方向上，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)氧化層交疊，且與所述第一柵氧化層無(wú)交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：位于所述第一主結(jié)區(qū)和所述第二主結(jié)區(qū)之間的部分所述外延層；

和/或，至少一個(gè)隔離環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離環(huán)的電位浮空。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離環(huán)的摻雜類型與所述第一主結(jié)區(qū)和所述第二主結(jié)區(qū)的摻雜類型相同，與所述外延層的摻雜類型不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述元胞區(qū)包括：

設(shè)置在所述第一表面內(nèi)的源區(qū)；

設(shè)置在所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的第一多晶柵極；

設(shè)置在所述第一表面上的第三源極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

設(shè)置在所述第一表面一側(cè)的第二多晶柵極，所述第二多晶柵極位于所述過(guò)渡區(qū)；

設(shè)置在所述第二多晶柵極背離所述外延層表面的柵極；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底另一側(cè)表面上的漏極。

8.一種具有內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所以制作方法包括：

提供一半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)表面上形成外延層，所述外延層具有背離所述半導(dǎo)體襯底的第一表面和朝向所述半導(dǎo)體襯底的第二表面；所述第一表面包括在第一方向上依次排布的元胞區(qū)、過(guò)渡區(qū)和終端區(qū)；所述第一方向平行于所述半導(dǎo)體襯底；

在所述第一表面上形成氧化層，所述氧化層位于所述過(guò)渡區(qū)；所述氧化層包括在所述第一方向上依次設(shè)置的第一柵氧化層和場(chǎng)氧化層；

在所述第一表面內(nèi)形成主結(jié)區(qū)，所述主結(jié)區(qū)包括第一主結(jié)區(qū)和第二主結(jié)區(qū)，所述第一主結(jié)區(qū)和所述第二主結(jié)區(qū)之間具有隔離結(jié)構(gòu)；

還包括：在所述第一表面上形成第一源極和第二源極；所述第一源極位于所述過(guò)渡區(qū)，且位于所述第一柵氧化層背離所述終端區(qū)的一側(cè)，與所述第一主結(jié)區(qū)接觸；所述第二源極位于所述過(guò)渡區(qū)，且位于所述場(chǎng)氧化層背離所述元胞區(qū)的一側(cè)，與所述第二主結(jié)區(qū)接觸；所述第一源極的尺寸小于所述第二源極的尺寸。