[發明專利]一種硅片加熱裝置及方法

有效

• 申請號: 202111519574.6
• 申請日: 2021-12-13
• 公開（公告）號: CN114388654B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 趙繼財;林健;李鵬;王建波;李紹鵬;焦龍生;肖政
• 申請（專利權）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/67
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

本申請公開了一種硅片加熱裝置及方法，屬于太陽能電池技術領域。包括：殼體，殼體形成密封腔，密封腔用于放置載體，載體裝載有硅片；氣流組件，氣流組件向密封腔內通入氣體，氣流組件設置于密封腔的內壁上；加熱組件，加熱組件在密封腔內釋放熱量，加熱組件與氣流組件連接。將載體送入密封腔，降低所述密封腔內的壓強，通過加熱組件對密封腔加熱，并通過氣流組件向密封腔內排入氣體，提高密封腔內的熱量傳導。在本申請實施例中，當裝載有硅片的載體進入密封腔后，氣流組件和加熱組件能夠同時工作，增強了密封腔內的熱傳導效率，具有使得對流在載體周圍的熱量更均勻、加熱效率更高的有益效果。

技術領域

本申請屬于太陽能電池技術領域，具體涉及一種硅片加熱裝置及方法。

背景技術

現階段光伏行業主流技術路線是PERC技術，該技術路線整個工藝流程涉及多種工藝設備，其中正膜，背膜，ALD背鈍化等鍍膜設備以及退火設備在工藝過程中都需要進行預熱，因此，設備中均設置有加熱裝置。

現有技術中，加熱裝置中通常設置有電阻絲，通過電阻絲發熱實現對硅片加熱。

然而，在真空腔室內，加熱絲溫變響應慢，加熱效率低，真空腔室內熱量傳導不均勻，影響硅片的加工質量。

發明內容

本申請實施例的目的是提供一種硅片加熱裝置及方法，能夠解決現有技術中硅片加熱裝置加熱效率低，且內部熱量傳導不均勻的問題。

為了解決上述技術問題，本申請是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供了一種硅片加熱裝置，包括：殼體，所述殼體用于形成密封腔，所述密封腔用于放置載體，其中，所述載體裝載有硅片；氣流組件，所述氣流組件用于向所述密封腔內通入氣體，所述氣流組件設置于所述密封腔的內壁上；加熱組件，所述加熱組件用于在所述密封腔內釋放熱量，所述加熱組件與所述氣流組件連接。

第二方面，本申請實施例提供了一種硅片加熱方法，所述方法的步驟包括：

將載體送入密封腔，其中，所述載體裝載有硅片；降低所述密封腔內的壓強；通過加熱組件對所述密封腔加熱，并通過氣流組件向所述密封腔內排入氣體，以提高所述密封腔內的熱量傳導。

在本申請實施例中，硅片加熱裝置的殼體形成了加熱密封腔，用于放置裝載有硅片的載體，在密封腔的內壁上設置有氣流組件，氣流組件的設置用于向密封腔內通入氣體，密封腔內還設置有加熱組件，加熱組件連接于氣流組件，加熱組件的設置用于向密封腔內的釋放熱量。當裝載有硅片的載體進入密封腔后，氣流組件和加熱組件能夠同時工作，向密封腔內釋放熱量的同時還向密封腔內通入氣體，氣流組件向密封腔通入適量氣體具有能夠加快密封腔內的熱量傳輸，增強密封腔內的熱傳導效率，使得密封腔內的熱量更加均勻，具有使得對流在載體周圍的熱量更均勻、加熱效率更高的有益效果。

附圖說明

圖1是本申請實施例中硅片加熱裝置的結構示意圖；

圖2是本申請實施例中硅片加熱裝置的剖面結構示意圖；

圖3是本申請實施例中硅片加熱裝置中氣流組件和加熱結構連接示意圖；

圖4是本申請實施例中硅片加熱裝置中氣流組件的結構示意圖；

圖5是本申請實施例中硅片加熱方法的流程圖。

附圖標記說明：

10、殼體；11、密封腔；12、載體；13、硅片；20、氣流組件；21、氣孔；22、氣流管；30、加熱組件；31、夾持件。

具體實施方式