[發明專利]一種半導體二極管制造工藝

在審

• 申請號: 202111519416.0
• 申請日: 2021-12-13
• 公開（公告）號: CN114203598A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 史其福
• 申請（專利權）人: 史其福
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體二極管制造工藝，其特征在于：該工藝包括以下步驟：

步驟一：設置半導體二極管制造裝置，將焊接好的二極管放置到該裝置上進行運輸；

步驟二：在運輸中對二極管的兩端進行涂料；

步驟三：對二極管的一端進行切削環槽和修剪導線；

步驟四：對加工后的二極管進行運輸并收集。

2.根據權利要求1所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置包括涂料軸(11)、涂料輥(12)和支架(21)，支架(21)上轉接有涂料軸(11)，涂料軸(11)的兩端分別設置有不同涂抹寬度的涂料輥(12)。

3.根據權利要求2所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括承托桿(22)和限位桿(23)，支架(21)上設置有多個承托桿(22)和多個限位桿(23)。

4.根據權利要求3所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括同步輪Ⅰ(13)、同步軸(31)、切割輪(32)和同步帶(34)，涂料軸(11)的兩端均設置有同步輪Ⅰ(13)，上端的兩個限位桿(23)上均設置有同步軸(31)，其中一個同步軸(31)上設置有切割輪(32)，兩個同步輪Ⅰ(13)分別和對應的同步軸(31)通過同步帶(34)傳動。

5.根據權利要求4所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括修剪輪(33)，兩個同步軸(31)上均固接有修剪輪(33)。

6.根據權利要求5所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括儲料箱(41)和浸料刷(42)，上端的兩個限位桿(23)上均設置有儲料箱(41)，兩個儲料箱(41)上均設置有浸料刷(42)，兩個浸料刷(42)分別涂刷在兩個涂料輥(12)上方。

7.根據權利要求6所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：兩個浸料刷(42)均為柔性材料制成。

8.根據權利要求3-7任意一項所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括運輸軸(51)、運輸齒輪(52)和運輸帶(53)，上端的兩個承托桿(22)上設置有兩個運輸軸(51)，兩個運輸軸(51)上均設置有等量的運輸齒輪(52)，相互對應的運輸齒輪(52)均通過運輸帶(53)傳動。

9.根據權利要求8所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：該裝置還包括彈簧座(24)、滑桿(61)、連接板(62)和壓板(63)，上端的兩個限位桿(23)上均設置有兩個彈簧座(24)，多個彈簧座(24)上均設置有滑桿(61)，多個滑桿(61)和對應的彈簧座(24)之間均設置有拉簧，多個滑桿(61)分別設置在兩個連接板(62)上，兩個連接板(62)上設置有多個壓板(63)，多個壓板(63)分別和多個運輸帶(53)底側的上端一一對應。

10.根據權利要求9所述的半導體二極管制造工藝，其特征在于：多個所述壓板(63)的兩端均設置有弧形邊。