[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法、異質(zhì)結(jié)太陽電池及應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111513014.X | 申請日: | 2021-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN114220887A | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張海川;藍仕虎;張麗平;趙暉;石建華;付昊鑫;杜俊霖;孟凡英;劉正新 | 申請(專利權(quán))人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭彤 |
| 地址: | 610200 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 異質(zhì)結(jié) 太陽電池 制備 方法 應用 | ||
1.一種異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
通過氣體源在硅襯底的第一表面上沉積第一鈍化層,所述硅襯底具有第一摻雜類型,所述第一鈍化層的基材為氫化非晶硅,在沉積所述第一鈍化層的氫化非晶硅的過程中逐漸向所述氣體源中通入二氧化碳,且隨沉積的所述第一鈍化層的厚度增加,控制所述二氧化碳在所述氣體源中的摻雜比例逐漸上升;
在所述第一鈍化層上沉積背場層,所述背場層具有第一摻雜類型;
在所述硅襯底的與所述第一表面相對的第二表面上沉積第二鈍化層,所述第二鈍化層為氫化非晶硅;
在所述第二鈍化層上沉積發(fā)射極層,所述發(fā)射極層具有與所述第一摻雜類型不同的第二摻雜類型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,在沉積所述第一鈍化層的過程中,控制所述氣體源中二氧化碳的摻雜比例從0開始逐漸上升。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,在沉積所述第一鈍化層的過程中,當所述氣體源中二氧化碳的摻雜比例為0時,控制沉積的部分所述第一鈍化層的厚度不超過2nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,在沉積所述第一鈍化層的過程中,所述氣體源中二氧化碳的摻雜比例的最高值為60%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,在沉積所述第一鈍化層的過程中,所述氣體源中二氧化碳的摻雜比例呈階梯狀上升。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,控制所述二氧化碳的摻雜比例在相鄰的階梯段中上升的幅度不超過30%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,控制沉積的所述第一鈍化層的厚度為7nm~12nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,沉積所述第一鈍化層的過程包括如下步驟:
采用二氧化碳摻雜比例為0%的氣體源,在所述硅襯底上沉積厚度為1nm~2nm的第一子鈍化層;
采用二氧化碳摻雜比例為10%~20%的氣體源,在所述第一子鈍化層上沉積厚度為2nm~4nm的第二子鈍化層;
采用二氧化碳摻雜比例為30%~40%的氣體源,在所述第二子鈍化層上沉積厚度為3nm~6nm的第三子鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,其特征在于,沉積所述第一鈍化層的過程具體還包括:采用二氧化碳摻雜比例為50%~60%的氣體源,在所述第三子鈍化層上沉積厚度為1nm~3nm的第四子鈍化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~6及9任一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法,在沉積所述第一鈍化層的過程中,控制所述硅襯底的溫度為150℃~250℃,和/或
控制沉積腔體內(nèi)的氣壓為10Pa~100Pa。
11.一種異質(zhì)結(jié)太陽電池,其特征在于,包括:
硅襯底,所述硅襯底具有第一摻雜類型;
第一鈍化層,所述第一鈍化層層疊設置于所述硅襯底的第一表面上,所述第一鈍化層的基材為氫化非晶硅,所述第一鈍化層中摻雜有氧原子,且在所述第一鈍化層的氫化非晶硅中,所述氧原子的摻雜比例沿遠離所述硅襯底的方向逐漸增加;
背場層,所述背場層層疊設置于所述第一鈍化層上,所述背場層具有第一摻雜類型;
第二鈍化層,所述第二鈍化層疊設置于所述硅襯底的與所述第一表面相對的第二表面上,所述第二鈍化層為氫化非晶硅;
發(fā)射極層,所述發(fā)射極層層疊設置于所述第二鈍化層上,所述發(fā)射極層具有第二摻雜類型。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池,其特征在于,所述第一鈍化層中氧原子的濃度沿遠離所述硅襯底的方向呈階梯狀上升。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~10任一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法制備所得的異質(zhì)結(jié)太陽電池或根據(jù)權(quán)利要求11~12任一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池在發(fā)電裝置的應用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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