[發明專利]顯示面板、陣列基板、光刻膠及其制備方法在審
| 申請號: | 202111510540.0 | 申請日: | 2021-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN114460807A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 王輝;田尚益;崔承鎮;廖輝華;宋智輝;姜慶;李榮榮 | 申請(專利權)人: | 長沙惠科光電有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/004 | 分類號: | G03F7/004;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232 | 代理人: | 王榮 |
| 地址: | 410000 湖南省長*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 陣列 光刻 及其 制備 方法 | ||
顯示面板、陣列基板、光刻膠及其制備方法。本發明提供了一種液晶顯示面板的光刻工藝,光刻膠及其制備方法。光刻膠以丙烯酸類聚合物為主體,并在主體上引入官能團?(CH2)n?Ph?(COOH)m,從而降低了曝光時間,提升了生產效率。
技術領域
本發明涉及電子顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示面板、陣列基板、光刻膠及其制備方法。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,簡稱為TFT-LCD)因其顯示尺寸大、節能環保、高清晰度、輕薄等優勢成為市場上主流的平板顯示設備。
TFT-LCD的光刻工藝是指在待加工的基板上涂覆光刻膠,再經曝光、顯影等過程,將掩模版的微細圖形轉移至基板表面,然后進行刻蝕、剝離等工藝加工,在基板表面得到高精度圖形。但是,目前的光刻工藝中,曝光能量太大,導致曝光時間太長,生產效率較低,使單一設備的產能無法滿足日益增長的市場需求。
需要說明的是,上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯影能力較高的光刻膠及其制備方法,以及具有該光刻膠的陣列基板,具有該陣列基板的顯示面板。
本發明的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然,或部分地通過本公開的實踐而習得。
根據本發明的一個方面,提供一種光刻膠,所述光刻膠的結構式為:
其中,Ph表示苯基,m的值為0~5,且-COOH可以取代苯基上的任意位置上的H,n的值為1~6。
在本發明的一些實施例中,所述m為2,所述n為1時,-CH2-Ph-(COOH)2的結構式為:
在本發明的一些實施例中,所述m為1,所述n為1時,所述-CH2-Ph-COOH 的結構式為:
在本發明的一些實施例中,所述光刻膠通過丙烯酸類聚合物和Br(CH2) n-Ph-(COOH)m反應制得。
在本發明的一些實施例中,所述丙烯酸類聚合物和所述Br(CH2)n-Ph- (COOH)m的摩爾之比為1:(1.05~1.3)。
在本發明的一些實施例中,所述丙烯酸類聚合物和所述Br(CH2)n-Ph- (COOH)m的摩爾之比為1:1.1。
根據本發明的一個方面,提供一種光刻膠的制備方法,包括以下步驟:
依據摩爾之比1:(1.05~1.3)稱取丙烯酸類聚合物和Br(CH2)n-Ph- (COOH)m并混合均勻得到混合物;其中,Ph表示苯基,m的值為0~5,且-COOH可以取代苯基上的任意位置上的H;
依據摩爾之比為氫氧化鈉:所述混合物為1:(15~20)稱取氫氧化鈉,并調節pH為10~11,得到反應物;
將上述反應物在N2環境下120℃~180℃下加熱回流18~30h,反應完全后得粗產物;
以體積比為1:3的乙酸乙酯和石油醚為溶劑,對上述粗產物進行重結晶并過濾,將過濾所得到的液體干燥即得光刻膠。
在本發明的一些實施例中,所述丙烯酸類聚合物和所述Br(CH2)n-Ph- (COOH)m的摩爾之比為1:1.1。
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