[發(fā)明專利]蒸鍍?cè)醇罢翦冊(cè)O(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111509843.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114182208A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫凌霄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍?cè)?/a> 設(shè)備 | ||
1.一種蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢渚哂幸坏谝粶囟葏^(qū)一第二溫度區(qū);
所述蒸鍍?cè)窗ǎ?/p>
熱反射罩,環(huán)繞一容器設(shè)置,并位于所述第一溫度區(qū)中;
加熱裝置,設(shè)于所述熱反射罩的外側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鰺岱瓷湔职ǎ?/p>
主體部,對(duì)應(yīng)于所述第一溫度區(qū);
鏤空部,與所述主體部相連,并對(duì)應(yīng)于所述第二溫度區(qū);
所述鏤空部的熱反射面積小于所述主體部的熱反射面積。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鰺岱瓷湔稚暇哂腥舾社U空結(jié)構(gòu),所述鏤空結(jié)構(gòu)均勻分布在所述鏤空部,并貫穿所述熱反射罩。
4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢黾訜嵫b置包括:
隔熱罩,其具有一容腔,所述容器和所述熱反射罩置于所述容腔內(nèi);
加熱絲,設(shè)于所述容腔的側(cè)壁上。
5.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢黾訜峤z在所述第二溫度區(qū)中的分布密度小于其在所述第一溫度區(qū)中的分布密度。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鋈萜骶哂幸怀隽峡冢龀隽峡谠O(shè)于所述容器的頂部。
7.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢龅诙囟葏^(qū)中所述容器內(nèi)的溫度小于所述第一溫度區(qū)中所述容器內(nèi)的溫度。
8.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鰺岱瓷湔值牟牧现泻薪饘冁u。
9.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢黾訜峤z的材料中含有金屬鉬。
10.一種蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍?cè)础?/p>
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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