[發明專利]一種STI結構形成方法在審
| 申請號： | 202111509053.2 | 申請日： | 2021-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN114267578A | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發明（設計）人： | 潘瑜;張振興;譚理;白宇 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 劉昌榮 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sti 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種STI結構形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上依次形成襯墊氧化層和襯墊氮化層；
在所述墊襯氮化層上旋涂光刻膠，利用攜帶能量的惰性氣體硬化所述光刻膠；
以所述光刻膠為掩模刻蝕所述襯墊氧化層和所述襯墊氮化層至所述半導體襯底的上表面，去除所述光刻膠；
以剩余的墊氮化物層和剩余的墊氧化物層為掩模刻蝕半導體襯底形成淺溝槽凹槽；
在淺溝槽凹槽里沉積溝槽氧化物層。
2.根據權利要求1所述的STI結構形成方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。
3.根據權利要求1所述的STI結構形成方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為800-900A，所述氮化硅層1000-1100A。
4.根據權利要求1所述的STI結構形成方法，其特征在于，所述襯墊氧化層為氧化硅層，所述襯墊氮化層為氮化硅層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
