[發(fā)明專利]一種平板型有界波模擬器仿真方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111508952.0
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114386240A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王碩;劉棟;袁巖興;劉星汛;齊萬泉
• 申請（專利權(quán)）人: 北京無線電計(jì)量測試研究所
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆

1.一種平板型有界波模擬方法，其特征在于，包括以下步驟：

確定模擬器外部尺寸，在CST中利用理想導(dǎo)體材料建立結(jié)構(gòu)模型，用集總元件電阻功能設(shè)置后過渡段末端與下板間電阻，以實(shí)現(xiàn)分布式負(fù)載功能；

背景材質(zhì)設(shè)定為空氣，計(jì)算區(qū)域邊界設(shè)置為自由空間；

模擬器的左端為激勵(lì)源；計(jì)算包括模擬器在內(nèi)的設(shè)定區(qū)域內(nèi)最大瞬時(shí)電場幅值；

在水平面上，模擬器兩端延長線方向，及模擬器端點(diǎn)、中點(diǎn)和頂點(diǎn)處與兩端連線垂直方向上取得設(shè)定場點(diǎn)的場強(qiáng)峰值。

2.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

模擬器總長41m，高度12m，寬度15m，寬高比為1.25，其特性阻抗約為140Ω。

3.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

所述激勵(lì)源為電壓激勵(lì)源，使其到達(dá)平行板頂端位置時(shí)的峰值為50kV/m。

4.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

每個(gè)所述方向上設(shè)定的場點(diǎn)，取間隔5m或10m，設(shè)置虛擬場強(qiáng)監(jiān)測器。

5.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

所述設(shè)定區(qū)域在水平面為包括模擬器在內(nèi)的110m×250m范圍；豎直方向?yàn)?00m范圍。

6.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

最大計(jì)算頻率設(shè)定為200MHz。

7.如權(quán)利要求1所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

激勵(lì)源波形采用HEMP雙指數(shù)波形。

8.如權(quán)利要求7所述平板型有界波模擬方法，其特征在于，

HEMP雙指數(shù)波形為E(t)＝kE₀(e^-αt-e^-βt)，其中k＝1.3，E₀＝50kV/m，α＝4×10⁷s^-1，β＝6×10⁸s^-1。

9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8中任一所述的方法。

10.一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器，處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8中任一所述的方法。