[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)取向的、類(lèi)單晶釩酸鉍納米棒陣列的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111508056.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114182281A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何冬青;王麗杰;葉騰凌;王星月;王琦;張曉臣;崔向紅;劉曉東;楊娜;張松 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 黑龍江省科學(xué)院高技術(shù)研究院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C25B11/052 | 分類(lèi)號(hào): | C25B11/052;C25B11/075;C25B1/04;C25B1/55 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
| 地址: | 150010 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 010 優(yōu)勢(shì) 生長(zhǎng) 取向 類(lèi)單晶釩酸鉍 納米 陣列 制備 方法 | ||
一種具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)取向的、類(lèi)單晶釩酸鉍納米棒陣列的制備方法,涉及光陽(yáng)極材料領(lǐng)域,尤其涉及一種釩酸鉍納米棒陣列的制備方法。是要解決現(xiàn)有方法制備的BiVO4薄膜的光電流密度低的問(wèn)題。方法:一、制備ZnO種子層溶液;二、在FTO導(dǎo)電基底上制備具有[001]取向的ZnO種子層;三、制備BiVO4陣列;四、煅燒。本方法制備的納米棒陣列具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)方向,垂直于導(dǎo)電基底的結(jié)構(gòu),可以提高光生載流子的傳輸效率,避免光生載流子在傳輸路徑上的晶界勢(shì)壘,可提高光生電子和空穴的分離效率,從而提高BiVO4的光電流密度。本發(fā)明用于制備釩酸鉍納米棒陣列。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光陽(yáng)極材料領(lǐng)域,尤其涉及一種釩酸鉍納米棒陣列的制備方法。
背景技術(shù)
如何開(kāi)發(fā)和利用太陽(yáng)能是當(dāng)今研究的熱點(diǎn),利用光電化學(xué)分解水技術(shù)制備可再生能源氫氣已引起科學(xué)家們的極大興趣。作為半導(dǎo)體家族的重要一員,釩酸鉍(BiVO4)是一種環(huán)境友好、無(wú)毒、價(jià)格低廉的n型半導(dǎo)體,并在光解水制氫,有機(jī)物的降解、染料敏化太陽(yáng)電池等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。由于BiVO4具有合適的帶隙寬度(~2.4eV),能夠吸收可見(jiàn)光,因此是光解水制氫技術(shù)的理想材料,然而遺憾的是BiVO4較低的電荷載流子傳輸速率,較短的光生空穴擴(kuò)散距離限制了其光電化學(xué)性質(zhì)的進(jìn)一步提高,因此設(shè)計(jì)和控制合成具有獨(dú)特結(jié)構(gòu)的BiVO4薄膜是非常有必要的。
為了獲得具有高光電流密度的BiVO4光陽(yáng)極,研究者們不斷地改進(jìn)BiVO4薄膜的制備方案,例如利用兩步法,即在已制備的金屬氧化物薄膜的基礎(chǔ)上采用金屬有機(jī)釩分解法制備BiVO4薄膜,或者在高真空、高溫情況下,利用脈沖激光法直接沉積生產(chǎn)BiVO4薄膜。然而上述這些方法不僅制備工藝復(fù)雜,實(shí)驗(yàn)條件苛刻,而且制備的BiVO4薄膜或者由納米顆粒組裝而成(顆粒易形成勢(shì)壘),不利于光生載流子的傳輸,或者由大塊的晶體形成(暴露的活性面較小),不利于光電反應(yīng)中固液兩相的充分接觸,從而限制了光電活性的提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是要解決現(xiàn)有方法制備的BiVO4薄膜的光電流密度低的問(wèn)題,提供一種具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)取向的、類(lèi)單晶釩酸鉍納米棒陣列的制備方法。
本發(fā)明具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)取向的、類(lèi)單晶釩酸鉍納米棒陣列的制備方法,包括以下步驟:
一、制備濃度為0.1-0.5mol/L的醋酸鋅-乙醇溶液,即ZnO種子層溶液;
二、在FTO導(dǎo)電基底上制備具有[001]取向的ZnO種子層:
將醋酸鋅-乙醇溶液均勻的涂敷在清洗后的FTO玻璃上,共涂覆3-5次,然后于80-85℃下烘干,置馬弗爐內(nèi),于空氣氣氛下,280-350℃鍛燒30-60分鐘,得到具有[001]取向的ZnO種子層的FTO玻璃;
三、BiVO4陣列制備:
將備有ZnO種子層的FTO玻璃浸入到反應(yīng)液中,于50-90℃條件下,反應(yīng)2-4小時(shí),然后將FTO玻璃用去離子水反復(fù)沖洗,自然干燥;
所述反應(yīng)液由鉍源溶液和釩源溶液組成,鉍源溶液的濃度為0.001-0.005mol/L,釩源溶液的濃度為0.001-0.005mol/L,鉍源溶液和釩源溶液的體積比為(0.5-5):1;
四、煅燒
將步驟三干燥后的FTO玻璃置于管式爐中,通入氣體進(jìn)行燒結(jié),即在FTO玻璃表面得到具有[010]優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)取向的、類(lèi)單晶釩酸鉍納米棒陣列。
本發(fā)明的有益效果:
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