[發明專利]外延晶片的缺陷檢查方法在審
| 申請號： | 202111507360.7 | 申請日： | 2021-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN114624251A | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 木瀨翔太 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/95 | 分類號： | G01N21/95;G01N21/01;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;王瑋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 晶片 缺陷 檢查 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種外延晶片的檢查方法，當在外延晶片存在包含滑移位錯缺陷以及失配位錯缺陷的位錯缺陷時，利用晶片應力測定而求得前述外延晶片的殘留應力，
在前述殘留應力為既定值以上時，判定為前述滑移位錯缺陷，在前述殘留應力小于前述既定值時，判定為前述失配位錯缺陷。
2.根據權利要求1所述的外延晶片的檢查方法，其特征在于，
向前述外延晶片的檢查面照射檢查光，基于檢查光的散射光而判定是否存在包含滑移位錯缺陷以及失配位錯缺陷的位錯缺陷。
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