[發明專利]一種顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202111506527.8
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114203787A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 馬倩
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種顯示面板，其特征在于，包括基板及設置于所述基板上的多個像素單元；每一所述像素單元均包括：驅動區和開關區；

每一所述像素單元均包括：

存儲電容，位于所述驅動區，其包括：

第一電容電極，設置于所述驅動區的所述基板上；

第一電容介質，設置于所述第一電容電極遠離所述基板的一側的表面上，且延伸覆蓋于所述基板上；

第二電容電極，設置于所述第一電容介質遠離所述基板的一側的表面上，且與所述第一電容電極對應設置；

第二電容介質，設置于所述第二電容電極遠離所述基板的一側的表面上，且延伸覆蓋于所述第一電容介質上；

層間絕緣層，設置于所述第二電容介質遠離所述基板的一側的表面上；以及

第三電容電極，設置于所述層間絕緣層遠離所述基板的一側的表面上，且與所述第二電容電極對應設置。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，每一所述像素單元均包括：

驅動薄膜晶體管，位于所述驅動區，其包括：

第一有源層，設置于所述基板與所述第一電容電極之間；

第一絕緣層，設置于所述第一有源層與所述第一電容電極之間，且延伸覆蓋于所述基板上；

第一柵極，與所述第一電容電極為同一膜層；以及

第一源漏極層，設置于所述層間絕緣層遠離所述基板的一側的表面上，且與所述第三電容電極同層設置。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，每一所述像素單元均包括：

開關薄膜晶體管，位于所述開關區，其包括：

第二有源層，設置于所述第一電容介質與所述層間絕緣層之間，且與所述第二電容電極同層設置；

第二絕緣層，設置于所述第二有源層與所述層間絕緣層之間；

第二柵極，設置于所述第二絕緣層與所述層間絕緣層之間；

第二源漏極層，設置于所述層間絕緣層遠離所述基板的一側的表面上，且與所述第三電容電極同層設置。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，每一所述像素單元還包括：

遮光單元，設置于所述第一絕緣層與所述第一電容介質之間，且與所述第二有源層對應設置，且與所述第一電容電極同層設置。

5.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第二電容介質部分覆蓋于所述第二有源層上；

所述第二絕緣層的兩側與所述第二電容介質之間均具有間隙。

6.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二電容介質的材質為Al₂O₃。

7.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二電容介質的厚度范圍為50埃-100埃。

8.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，在所述基板上制備多個像素單元，每一所述像素單元均包括：驅動區和開關區；

每一所述像素單元的制備步驟包括：

在所述驅動區制備存儲電容，其包括：

在所述驅動區的所述基板上制備第一電容電極；

在所述第一電容電極遠離所述基板的一側的表面上制備第一電容介質，所述第一電容介質延伸覆蓋于所述基板上；

在所述第一電容介質遠離所述基板的一側的表面上制備第二電容電極，所述第二電容電極與所述第一電容電極對應設置；

在所述第二電容電極遠離所述基板的一側的表面上制備第二電容介質，所述第二電容介質延伸覆蓋于所述第一電容介質上；

在所述第二電容介質遠離所述基板的一側的表面上制備層間絕緣層；以及

在所述層間絕緣層遠離所述基板的一側的表面上制備第三電容電極，所述第三電容電極與所述第二電容電極對應設置。