[發(fā)明專利]一種用于封裝光電子器件的環(huán)氧組成物、封裝結(jié)構(gòu)及光電子器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111505806.2 | 申請日: | 2021-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN114195982A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳朝新;何鑫;張凱 | 申請(專利權(quán))人: | 西安思摩威新材料有限公司 |
| 主分類號: | C08G59/22 | 分類號: | C08G59/22;C08G59/32;C08G59/68;H01L51/52 |
| 代理公司: | 西安新動力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61245 | 代理人: | 苗凌 |
| 地址: | 712099 陜西省西安市西咸新區(qū)*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 封裝 光電子 器件 組成 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明公開了一種用于封裝光電子器件的環(huán)氧組成物、封裝結(jié)構(gòu)及光電子器件,包括10%~70%的光可固化單體;10%~70%的單或三官能度含硅環(huán)氧單體;以及0.5%~10%的引發(fā)劑,使用含硅環(huán)氧單體,一方面由于自身的Si?O?Si鏈段變形能力強,在受到力的沖擊時,能夠起到應(yīng)力分散作用,降低內(nèi)應(yīng)力,提高有機封裝組成物的力學(xué)性能;另一方面,能夠有效提高有機封裝組成物的附著力,用于光電子器件的薄膜封裝可有效提高器件的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機薄膜技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種用于封裝光電子器件的環(huán)氧組成物、封裝結(jié)構(gòu)及光電子器件。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(OLED)是通過電激發(fā)有機發(fā)光材料發(fā)光的自發(fā)光器件,因其高效、環(huán)保的特點廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。而有機發(fā)光顯示器件的顯示單元可能會由于氧氣或水的滲透而惡化。因此,為了達到延長設(shè)備使用壽命的目的,對設(shè)備進行有效的封裝,將設(shè)備的功能層與周圍環(huán)境中的濕氣、氧氣等隔離是非常重要的。目前在薄膜封裝技術(shù)中,常用的方法是將有機封裝層和無機封裝層交替疊合。一般無機封裝層通過等離子體沉積而成,一般為SiO2、Si3N4、Al、AlOxNy等無機組成物,而有機封裝層采用閃蒸、噴墨印刷、沉積、網(wǎng)版印刷、旋轉(zhuǎn)涂布或刮刀涂布等方式形成。現(xiàn)有技術(shù)使用含硅單體,能夠有效提高有機封裝組成物的熱性能和疏水性能,在一定程度上減小了水氧的滲透,同時也降低了屏體彎折時的破裂風(fēng)險。但上述封裝結(jié)構(gòu)存在著附著力差的問題,容易造成開裂、脫落等情況,不能進行有效封裝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種用于封裝光電子器件的環(huán)氧組成物、封裝結(jié)構(gòu)及光電子器件,使用含硅環(huán)氧單體,一方面由于自身的Si-O-Si鏈段變形能力強,在受到力的沖擊時,能夠起到應(yīng)力分散作用,降低內(nèi)應(yīng)力,提高有機封裝組成物的力學(xué)性能;另一方面,增加環(huán)氧基團能夠有效提高有機封裝組成物的附著力,用于光電子器件的薄膜封裝可有效提高器件的使用壽命。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種用于封裝光電子器件的環(huán)氧組成物,包括光可固化單體、單或三官能度含硅環(huán)氧單體和引發(fā)劑,單官能度含硅環(huán)氧單體如下:
其中,R1是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30的烷基、烷氧基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基;
R2是單鍵,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20的亞烷基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30亞烷氧基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30 亞芳基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C30芳基亞烷基;
R3是氫,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基;X1、X2、X3、 X4各自獨立地經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、烷氧基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基;n是0~30的整數(shù),或平均在0~30 內(nèi)。
三官能度含硅環(huán)氧單體如下:
其中,R1是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30的烷基、烷氧基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基;
R2、R3、R4是單鍵,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20的亞烷基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30亞烷氧基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6 到C30亞芳基,經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C30芳基亞烷基;
R5、R6、R7是氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基;
X1、X2、X3、X4、X5、X6各自獨立地經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1 到C30烷基、烷氧基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基;n是0~30 的整數(shù),或平均在0~30內(nèi)。
具體的,含硅環(huán)氧單體包含至少一個C6到C30經(jīng)取代或未經(jīng)取代的鍵接到硅原子的芳基。
具體的,含硅環(huán)氧單體具有200~2000g/mol的分子量。
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C08G59-18 .每個分子含有1個以上環(huán)氧基的化合物,使用與環(huán)氧基反應(yīng)的固化劑或催化劑聚合得到的高分子
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