[發明專利]一種蝕刻液

在審

• 申請號: 202111505637.2
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114182259A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 李恩慶;康明倫
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種蝕刻液，其特征在于，包括以下組分：

12～22％質量百分比的過氧化氫；

0.5～4％質量百分比的鰲合劑；

0.1～2.5％質量百分比的蝕刻抑制劑；

0.1～5％質量百分比的蝕刻劑；

0.01～2％質量百分比的除殘劑；以及

溶劑。

2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述鰲合劑包括亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基內硝基乙酸、氨基三亞(甲基磷酸)、(1-羥基乙烷-1,1-二烯化合物)雙(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亞乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸或甘氨酸。

3.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述鰲合劑的質量百分比為1.5～3％。

4.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻抑制劑包括唑類化合物。

5.根據權利要求4所述的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻抑制劑包括3-氨基-1,2,3-三唑、4-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑或吡唑。

6.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻抑制劑的質量百分比為0.3～1.0％。

7.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻劑包括磷酸、亞磷酸、次磷酸或焦磷酸。

8.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述除殘劑的質量百分比為0.1～1.0％。

9.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述除殘劑包括具有Al²⁺、Mg²⁺、Na⁺、K⁺、Li⁺的硫酸鹽、硝酸鹽或檸檬酸鹽。

10.根據權利要求9所述的蝕刻液，其特征在于，所述除殘劑包括LiSO₄、LiNO₃、MgSO₄或MgNO₃。