[發明專利]一種納米雜化MoS2

在審

• 申請號: 202111505178.8
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114203995A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 原長洲;魏靖萱;侯林瑞;劉洋
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00;H01G11/24;H01G11/32;H01G11/36;H01G11/86
• 代理公司: 山東知圣律師事務所 37262
• 代理人: 陳輝

1.一種納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料，其特征在于，二維結構的所述MoS₂原位結合在所述Mo₂CT_x導電基體表面以及該導電基體中。

2.一種納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）將溶有硫粉的溶液與Mo₂CT_x水溶液混合，調節反應體系pH至酸性，分離出反應體系中的固體產物，對其清洗后干燥，得S/Mo₂CT_x；

（2）在流動的保護氣制造的隔氧環境下，將硫粉置于保護氣上游，將所述S/Mo₂CT_x置于保護氣下游，加熱使所述硫粉形成硫蒸汽，該硫蒸氣將所述S/Mo₂CT_x中的Mo₂C原位還原成Mo₂S，即得MoS₂/Mo₂CT_x復合材料。

3.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（1）中，步驟（1）中，所述Mo₂CT_x與硫粉的質量比為1:3~8。

4.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（1）中，所述溶有硫粉的溶液是由硫粉溶解在乙二胺中形成；優選地，該溶液中硫粉的質量濃度控制在20~70 mg/mL；

或者，步驟（1）中，所述Mo₂CT_x水溶液是由Mo₂CT_x分散在水中形成；優選地，該溶液中Mo₂CT_x的濃度控制在0.4~0.8 mg/mL。

5.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（1）中，將所述溶有硫粉的溶液與Mo₂CT_x水溶液混合后攪拌時間不少于1小時后再調節反應體系pH至酸性；優選地，采用鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸調節反應體系pH至1-3。

6.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（1）中，所述反應體系pH調節完后對反應體系攪拌不小于12小時；

優選地，步驟（1）中，將所述固體產物清洗至中性；

優選地，步驟（1）中，所述干燥溫度為50~80℃，干燥時間為10~24小時。

7.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（2）中，所述Mo₂CT_x與硫粉的質量比為1：10~50。

8.根據權利要求2所述的納米雜化MoS₂/Mo₂CT_x復合材料的合成方法，其特征在于，步驟（2）中，所述加熱溫度為400~800℃，反應時間為2~4小時；優選地，所述加熱的升溫速度為2~5℃/min。