[發明專利]脈沖序列生成方法、控制方法、裝置、系統及設備在審
| 申請號: | 202111505171.6 | 申請日: | 2021-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN114202073A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 汪景波;段宇丞 | 申請(專利權)人: | 北京百度網訊科技有限公司 |
| 主分類號: | G06N10/40 | 分類號: | G06N10/40;G06N10/20 |
| 代理公司: | 北京易光知識產權代理有限公司 11596 | 代理人: | 武晨燕;金愛靜 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 脈沖 序列 生成 方法 控制 裝置 系統 設備 | ||
1.一種基于離子阱的脈沖序列生成方法,包括:
確定對當前激光信號的振幅和相位進行切片處理所需的切片數量N,進行切片處理,得到N個振幅切片和N個相位切片所形成的第一對稱脈沖序列;其中,所述N個振幅切片滿足第一對稱關系,所述N個相位切片滿足第二對稱關系;N為大于等于2的整數;
模擬所述第一對稱脈沖序列施加于離子阱的預設離子量子比特上,以得到第一近似量子比特門;
在至少所述第一近似量子比特門與目標量子比特門之間的差異程度滿足預設條件的情況下,將當前的所述第一對稱脈沖序列作為目標脈沖序列。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在所述第一近似量子比特門與目標量子比特門之間的差異程度不滿足所述預設條件的情況下,對當前激光信號的振幅和相位進行調整,以更新所述第一對稱脈沖序列;
在所述第一對稱脈沖序列更新完成后,再次模擬所述第一對稱脈沖序列施加于離子阱的預設離子量子比特上,以再次得到第一近似量子比特門,直至至少所述第一近似量子比特門與目標量子比特門之間的差異程度滿足預設條件為止。
3.根據權利要求1或2所述的方法,還包括:
獲取用于實現所述目標量子比特門所需的離子阱的參數信息;
其中,所述確定對當前激光信號的振幅和相位進行切片處理所需的切片數量N,包括:
基于所述參數信息,確定對當前激光信號的振幅和相位進行切片處理所需的切片數量N。
4.根據權利要求3所述的方法,所述參數信息至少表征所述離子阱中離子量子比特的數量;其中,
所述基于所述參數信息,確定對當前激光信號的振幅和相位進行切片處理所需的切片數量N,包括:
至少基于所述離子阱中離子量子比特的數量,確定對當前激光信號的振幅和相位進行切片處理所需的切片數量N。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,所述切片數量N與所述離子阱中離子量子比特的數量線性正相關。
6.根據權利要求1至5任一項所述的方法,其中,所述N個振幅切片滿足第一對稱關系,包括:
Ω1=ΩN,…,Ωi=ΩN-i+1;
其中,所述Ωi表征第i個振幅切片,所述i為大于等于1小于等于N的整數。
7.根據權利要求1至6任一項所述的方法,其中,所述N個相位切片滿足第二對稱關系,包括:
φ1=-φN,…,φi=-φN-i+1;
其中,所述φi表征第i個相位切片,所述i為大于等于1小于等于N的整數。
8.根據權利要求1至7任一項所述的方法,其中,所述模擬所述第一對稱脈沖序列施加于離子阱的預設離子量子比特上,以得到第一近似量子比特門,包括:
模擬所述第一對稱脈沖序列施加于離子阱的預設離子量子比特上,以及模擬所述離子阱周邊不存在環境噪聲的情況下,得到第一近似量子比特門。
9.根據權利要求8所述的方法,還包括:
預估所述離子阱周邊的環境噪聲范圍,其中,所述環境噪聲范圍表征所述離子阱周邊的環境噪聲大于或等于第一噪聲值,小于或等于第二噪聲值,所述第一噪聲值小于所述第二噪聲值;
模擬所述第一對稱脈沖序列施加于離子阱的預設離子量子比特,以及模擬所述離子阱處于所述第一噪聲值的情況下,得到第二近似量子比特門;
確定所述第二近似量子比特門與所述目標量子比特門之間的差異程度;
至少基于所述第二近似量子比特門與所述目標量子比特門之間的差異程度,以及所述第一近似量子比特門與所述目標量子比特門之間的差異程度,得到目標差異程度;
其中,所述至少所述第一近似量子比特門與目標量子比特門之間的差異程度滿足預設條件,包括:
所述目標差異程度滿足預設條件。
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