[發明專利]一種離子輔助的多靶磁控濺射設備

在審

• 申請號: 202111504598.4
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114015997A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 唐云俊;王昱翔
• 申請（專利權）人: 浙江艾微普科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253
• 代理人: 王大國

1.一種離子輔助的多靶磁控濺射設備，包括上載腔體、輸運腔體和工藝腔體，輸運腔體內設置有機械手，其特征在于：所述工藝腔體內設置有晶圓臺、至少一個離子源裝置和至少兩個磁控管裝置，所述晶圓臺位于下方，離子源裝置和磁控管裝置位于上方，且離子源裝置與磁控管裝置圍繞晶圓臺的中心均分布，所述離子源裝置與磁控管均朝向晶圓臺并與晶圓臺呈角度傾斜布置。

2.根據權利要求1所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述工藝腔體的頂部為穹形，所有磁控管和離子源裝置圍繞穹形的頂部中心均勻分布。

3.根據權利要求2所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述工藝腔體內還設置有擋板窗，所述擋板窗位于離子源裝置和磁控管的下方，且擋板窗對應離子源裝置和每個磁控管的下方均設置有可獨立開啟的快門。

4.根據權利要求2所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述工藝腔體內還設置有擋板窗，所述擋板窗上設置有一個開口，所述擋板窗與工藝腔體轉動連接，擋板窗的轉動軸線與穹形的頂部中心重疊。

5.根據權利要求3或4所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述磁控管裝置包括靶材背板、磁控管背板和保護蓋子，所述靶材背板的前側設置有靶材，磁控管背板位于靶材背板的后側，且磁控管背板的前側設置有磁控管，所述磁控管背板連接有驅動其轉動的第一馬達，所述靶材背板連接有電源，所述保護蓋子蓋在靶材背板上，使磁控管背板及磁控管罩在內部。

6.根據權利要求5所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述靶材背板內設置有冷卻水路。

7.根據權利要求6所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述離子源裝置包括底座和密封金屬盒，所述密封金屬盒內設置有石英管，石英管與底座形成真空腔體，所述石英管外設置有線圈，所述石英管連接天線。

8.根據權利要求7所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述底座與石英管的連接面設置為金屬柵網。

9.根據權利要求8所述的離子輔助的多靶磁控濺射設備，其特征在于：所述晶圓臺包括自上而下依次布置的晶圓托架、加熱器、支架托、腔體真空法蘭、附加支架和伸縮管，所述伸縮管連接有第二馬達，所述附加支架連接有第三馬達。