[發明專利]一種提高氮化鋁外延層紫外透過率的保護裝置及使用方法

在審

• 申請號: 202111504595.0
• 申請日: 2021-12-10
• 公開（公告）號: CN114197038A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 王再恩;王雙;孫科偉;董增印;李賀;程文濤;張嵩
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C30B25/14
• 分類號: C30B25/14;C30B29/40
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 李美英

1.一種提高氮化鋁外延層紫外透過率的保護裝置，包括基座（2）和設置在基座中心的基片槽（4），其特征在于：還包括下保護套（1）和上保護套（3），所述基座（2）是一個圓柱體，在基座（2）的側面中部設置一圈凸臺（2-1），在基片槽（4）的外圍對稱設置四個導氣孔（7）；所述下保護套（1）是一個三階梯圓環，上端的大直徑圓環與基座（2）的下部配合設置在凸臺（2-1）的下方，中圓環的臺階與基座（2）的下端面貼緊，下端小圓環的內孔是進氣孔（5），下保護套（1）與基座（2）之間的間隙形成下導氣槽（6）；所述上保護套（3）是圓環形蓋，與基座（2）的上部配合設置在凸臺（2-1）的上方，上保護套（3）圓環的內徑與基片槽（4）直徑相同，上保護套（3）與基座（2）之間的間隙形成上導氣槽（8），所述下導氣槽（6）和上導氣槽（8）的外徑大于導氣孔（7）外接圓的直徑，所述進氣孔（5）、下導氣槽（6）、導氣孔（7）和上導氣槽（8）組成完整的氣路。

2.如權利要求1所述一種提高氮化鋁外延層紫外透過率的保護裝置，其特征在于：下保護套（1）和上保護套（3）均以螺紋連接方式設置在基座（2）上。

3.一種采用如權利要求1所述的一種提高氮化鋁外延層紫外透過率的保護裝置的使用方法，其特征在于：包括如下步驟：

第一步：將帶保護裝置的基座（2）放進生長爐（10）的腔內，將生長氮化鋁用的碳化硅基片（9）放置在基片槽（4）內；

第二步：將生長爐（10）腔內的氣壓抽真空至0.1mbar以下，充入氮氣保護氣體至500mbar；

第三步：將生長爐（10）腔室內溫度升至1500℃；

第四步：打開進氣孔（5）的截門，生長爐（10）腔內氮氣通過進氣孔（5）、下導氣槽（6）、導氣孔（7）和上導氣槽（8）進入基片槽（4），等待五分鐘，使氮氣包裹基片（9）邊緣和背底；

第五步：在生長爐（10）腔室充入氫氣、氯化氫、氯化鋁和氨氣，進行氮化鋁外延生長三十分鐘；

第六步：關閉加熱系統，關閉氫氣、氯化氫、氯化鋁氣體，自然降溫至室溫；

第七步：將腔體氣壓抽真空至0.1mbar以下，充入氮氣保護氣體至常壓，取出外延片。