[發(fā)明專利]磨削磨輪在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111502083.0 | 申請日: | 2021-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN114643541A | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬路良吾 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | B24D7/06 | 分類號: | B24D7/06;B24D7/16;B24B7/22;B24B41/06 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 楊俊波;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磨削 | ||
本發(fā)明提供磨削磨輪,其與以往相比能夠抑制樹脂或金屬等延展性材料延展而成為毛刺。對延展性材料進行磨削的磨削磨輪包含:環(huán)狀的磨輪基臺,其具有固定于主軸的下端的固定端部以及與所磨削的被加工物面對的自由端部;以及矩形板狀的多個磨削磨具,該多個磨削磨具使長邊沿著磨輪基臺的周向以規(guī)定的間隔排列在自由端部。磨削磨具是利用鍍鎳來固定磨粒而得的矩形板狀的電鑄磨具,厚度為1mm以下,該磨削磨具的距離該自由端部的高度與該磨削磨具的厚度之比所表示的值為5以上且小于35。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磨削磨輪。
背景技術(shù)
已知有使用呈環(huán)狀配置有多個磨削磨具的磨削磨輪對形成半導體器件的硅或砷化鎵、陶瓷或玻璃基板等進行磨削的技術(shù)(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特許第4885376號公報
在專利文獻1中,磨削磨輪的磨削磨具是利用結(jié)合劑來固定金剛石磨粒而得的矩形板狀的分段磨具,固定于磨削磨輪的下表面(自由端部)上,對被加工物進行磨削。在該磨削磨具中使用的結(jié)合劑從樹脂系、金屬系、陶瓷系進行選擇,磨削磨具的區(qū)段的厚度和高度(突出量)按照在磨削中不會碎裂的方式設(shè)定,厚度為2mm~4mm左右、高度為4mm~5mm左右。例如當利用這樣的以往的磨削磨輪對封裝有半導體器件芯片的樹脂封裝基板進行磨削時,也存在晶片級封裝的薄化的要求,存在樹脂或金屬延展而成為毛刺的問題。
發(fā)明內(nèi)容
由此,本發(fā)明的目的在于提供磨削磨輪,與以往相比,能夠抑制樹脂或金屬等延展性材料延展而成為毛刺。
根據(jù)本發(fā)明,提供磨削磨輪,其對延展性材料進行磨削,其中,該磨削磨輪具有:環(huán)狀的磨輪基臺,其具有固定于主軸的下端的固定端部以及與所磨削的被加工物面對的自由端部;以及矩形板狀的多個磨削磨具,該多個磨削磨具使長邊沿著該磨輪基臺的周向以規(guī)定的間隔排列在該自由端部,該磨削磨具是利用鍍鎳來固定磨粒而得的矩形板狀的電鑄磨具,厚度為1mm以下,該磨削磨具的距離該自由端部的高度與該磨削磨具的厚度之比所表示的值為5以上且小于35。
優(yōu)選矩形板狀的該磨削磨具的厚度為0.5mm以下。
優(yōu)選所磨削的被加工物具有配置于被磨削面的樹脂或金屬。
與以往相比,本發(fā)明能夠抑制樹脂或金屬等延展性材料延展而成為毛刺。
附圖說明
圖1是示出實施方式的磨削磨輪的結(jié)構(gòu)例的底面圖。
圖2是示出圖1的磨削磨輪的剖視圖。
圖3是示出安裝有圖1的磨削磨輪的磨削裝置的剖視圖。
標號說明
1:磨削磨輪;10:磨輪基臺;12:固定端部;13:自由端部;20:磨削磨具;21:長邊方向的長度;22:間隔;23:厚度;24:高度;120:主軸;200:被加工物;201:被磨削面。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。本發(fā)明并不被以下實施方式所記載的內(nèi)容限定。另外,在以下所記載的構(gòu)成要素中包含本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易想到的內(nèi)容、實質(zhì)上相同的內(nèi)容。另外,以下所記載的結(jié)構(gòu)可以適當組合。另外,可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進行結(jié)構(gòu)的各種省略、置換或變更。
根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施方式的磨削磨輪1進行說明。圖1是示出實施方式的磨削磨輪1的結(jié)構(gòu)例的底面圖。圖2是示出圖1的磨削磨輪1的剖視圖。圖2是圖1的(II)-(II)剖視圖。圖3是示出安裝有圖1的磨削磨輪1的磨削裝置100的剖視圖。如圖1和圖2所示,實施方式的磨削磨輪1具有環(huán)狀的磨輪基臺10和多個磨削磨具20。
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