[發(fā)明專利]一種熱成像裝置及熱成像方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111500833.0
• 申請(qǐng)日: 2021-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114216570A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫華銳;何陽(yáng);張亮輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）
• 主分類號(hào): G01J5/48
• 分類號(hào): G01J5/48;G01J5/20;G01J5/02
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 許爍

1.一種熱成像裝置，用于檢測(cè)待測(cè)芯片的表面溫度，其特征在于，包括：

光源組件，用于發(fā)射預(yù)設(shè)波長(zhǎng)的光線；

反射層，設(shè)置于所述待測(cè)芯片的表面，且所述反射層的禁帶寬度小于所述光源所發(fā)出光線的能量；

反射組件，用于將所述光源所發(fā)出的光線反射至所述待測(cè)芯片表面的所述反射層；

成像組件，用于接收經(jīng)由所述反射層反射的光線并輸出所述待測(cè)芯片表面的圖像。

2.如權(quán)利要求1所述的熱成像裝置，其特征在于，所述反射層為過(guò)渡金屬硫化物層。

3.如權(quán)利要求2所述的熱成像裝置，其特征在于，所述反射層為二硫化鉬層。

4.如權(quán)利要求1所述的熱成像裝置，其特征在于，所述光源組件包括光源和用于擴(kuò)束和準(zhǔn)直所述光源所發(fā)出光線的透鏡組。

5.如權(quán)利要求4所述的熱成像裝置，其特征在于，所述光源為可見(jiàn)光光源，和/或，所述光源為非相干光源。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱成像裝置，其特征在于，所述熱成像裝置還包括位于所述反射組件和所述待測(cè)芯片之間的聚焦鏡。

7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱成像裝置，其特征在于，所述熱成像裝置還包括用于放置待測(cè)芯片且用于自動(dòng)聚焦的自動(dòng)聚焦組件。

8.一種熱成像方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的熱成像裝置，包括如下步驟：

制備步驟，制備所述反射層，并將所述反射層轉(zhuǎn)移至所述待測(cè)芯片的表面；

校準(zhǔn)步驟，所述光源組件分別向不同溫度下的所述待測(cè)芯片發(fā)射光線，光線經(jīng)由所述反射層反射至所述成像組件，所述成像組件分別輸出不同溫度下的圖像，根據(jù)不同溫度下圖像的灰度值變化得到反射層的熱反射系數(shù)；

熱成像步驟，將所述待測(cè)芯片放入所述熱成像裝置中并通電，以獲取當(dāng)前條件下的圖像，并根據(jù)所述待測(cè)芯片通電前的圖像信息所述反射層的熱反射系數(shù)得到當(dāng)前條件下的溫度分布圖像。

9.如權(quán)利要求8所述的熱成像方法，其特征在于，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在基材上生長(zhǎng)出過(guò)渡金屬硫化物，從所述基材上剝離單層過(guò)渡金屬硫化物以獲得所述反射層。

10.如權(quán)利要求9所述的熱成像方法，其特征在于，所述校準(zhǔn)步驟中，利用加熱部件加熱所述待測(cè)芯片至不同的溫度，并至少測(cè)試獲取在兩個(gè)不同溫度下的所述待測(cè)芯片的圖像。