[發明專利]基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構在審
| 申請號： | 202111497126.0 | 申請日： | 2021-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN114203799A | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 王穎;李茂斌;包夢恬;曹菲 | 申請（專利權）人： | 大連海事大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901 | 代理人： | 方亞兵 |
| 地址： | 116000 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 多重 緩沖 sic 異質結 二極管 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，使用P型多晶硅與N-型SiC外延層形成異質結代替肖特基結，并在N-型SiC外延層和N+型SiC襯底之間加入N型SiC多重緩沖層。
2.根據權利要求1所述一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，所述P型多晶硅摻雜濃度為5×1018cm-3。
3.根據權利要求1所述一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，P+型SiC層在N-型SiC外延層上方，通過外延的方式形成。
4.根據權利要求3所述一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，P+型SiC層摻雜濃度為1×1019cm-3，寬度為2μm，相鄰P+型SiC層間距為3μm。
5.根據權利要求1所述一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，N型SiC多重緩沖層層數為五層，每層厚度為2μm。
6.根據權利要求1所述一種基于多重緩沖層的4H-SiC異質結二極管器件結構，其特征在于，N-型SiC外延層摻雜濃度為1×1015cm-3。
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