[發明專利]一種同步整流電路及控制方法

在審

• 申請號: 202111496148.5
• 申請日: 2021-12-09
• 公開（公告）號: CN114268230A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 蔡希桐;白東培;馬瑞達
• 申請（專利權）人: 佛山市順德區美的電子科技有限公司;廣東美的制冷設備有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M1/092
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 吳薇薇;張穎玲

1.一種同步整流電路，其特征在于，包括初級整流驅動電路、次級整流驅動電路、光電耦合器、脈寬控制單元；所述初級整流驅動電路包括第一開關器件，所述次級整流驅動電路包括第二開關器件；其中：

所述脈寬控制單元的輸出端連接所述第一開關器件的控制端，所述第一開關器件的控制端接收到高電平信號時，所述第一開關器件用于控制所述初級整流驅動電路導通，所述第一開關器件的控制端接收到低電平信號時，所述第一開關器件用于控制所述初級整流驅動電路斷開；

所述光電耦合器的發光源連接在所述脈寬控制單元的輸出端與接地端之間，所述光電耦合器的受光器連接在第二開關器件的控制端與接地端之間；所述第二開關器件的控制端接收到高電平信號時，所述第二開關器件用于控制所述次級整流驅動電路導通，所述第二開關器件的控制端接收到低電平信號時，所述第二開關器件用于控制所述次級整流驅動電路斷開。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一開關器件包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極為所述第一開關器件的控制端。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述初級整流驅動電路還包括變壓器的初級線圈和交流電源；其中：

所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極與接地端連接，所述變壓器的初級線圈連接在所述交流電源和所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極之間。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述初級整流驅動電路還包括第一電容；其中：

所述第一電容連接在所述交流電源與接地端之間。

5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第二開關器件包括第二金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極為所述第二開關器件的控制端。

6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述同步整流電路還包括第一負載、第一直流電源；其中：

所述第一負載連接在所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極和所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極之間，所述第一直流電源與所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極和源極的公共端連接。

7.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述次級整流驅動電路還包括變壓器的次級線圈和第二直流電源；其中：

所述變壓器的次級線圈連接在所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極和所述第二直流電源之間。

8.根據權利要求7所述的電路，其特征在于，所述次級整流驅動電路還包括第二電容；其中：

所述第二電容連接在所述第二直流電源與接地端之間。

9.一種同步整流電路的控制方法，其特征在于，應用于同步整流電路中，所述同步整流電路包括初級整流驅動電路、次級整流驅動電路、光電耦合器、脈寬控制單元；所述初級整流驅動電路包括第一開關器件，所述次級整流驅動電路包括第二開關器件；所述脈寬控制單元的輸出端連接所述第一開關器件的控制端；所述光電耦合器的發光源連接在所述脈寬控制單元的輸出端與接地端之間，所述光電耦合器的受光器連接在第二開關器件的控制端與接地端之間；所述方法包括：

所述第一開關器件的控制端接收到高電平信號時，所述第一開關器件控制所述初級整流驅動電路導通，所述第一開關器件的控制端接收到低電平信號時，所述第一開關器件控制所述初級整流驅動電路斷開；

所述第二開關器件的控制端接收到高電平信號時，所述第二開關器件控制所述次級整流驅動電路導通，所述第二開關器件的控制端接收到低電平信號時，所述第二開關器件控制所述次級整流驅動電路斷開。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一開關器件包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極為所述第一開關器件的控制端。