[發(fā)明專利]一種用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu)及其構(gòu)造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111495590.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114171478A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周云燕;陳海英;陳釧;蘇梅英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海先方半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/473 | 分類號(hào): | H01L23/473;H01L21/50 |
| 代理公司: | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 pop 封裝 散熱 結(jié)構(gòu) 及其 構(gòu)造 方法 | ||
1.一種用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
第一基板和第二基板;
第一芯片,其布置于所述第一基板上;
第二芯片,其布置于所述第二基板上;以及
微流道,其與所述第一和第二芯片連接并且將所述第一和第二芯片工作生成的熱量導(dǎo)出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一個(gè)或者多個(gè)所述第一芯片和\或一個(gè)或者多個(gè)所述第二芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括微泵以及熱交換器,所述微泵以及所述熱交換器通過管道與所述微流道連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一基板包括:
腔室,其容納所述微流道;
導(dǎo)熱孔,其將所述第一芯片與所述微流道連接;以及
第一通孔,其用于通過所述管道。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括導(dǎo)熱膠,所述導(dǎo)熱膠布置于所述微流道與所述第一基板和所述第二芯片的連接處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括散熱蓋,所述散熱蓋具有第二通孔,所述第二通孔用于所述管道通過,其中所述第一芯片的第一面通過所述導(dǎo)熱孔與所述微流道連接,并且所述第一芯片的第二面與所述散熱蓋連接,其中所述導(dǎo)熱膠還布置于所述第一芯片與所述散熱蓋的連接處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括阻容器件,其布置于所述第一和第二基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),包括銅核球,其將所述第一基板與所述第二基板連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu),包括
球柵陣列,其將所述第二基板與印刷電路板連接;以及
印刷電路板,其上布置所述微泵以及所述熱交換器。
10.一種構(gòu)造權(quán)利要求1-9之一所述的用于POP封裝的散熱結(jié)構(gòu)的方法,其特征在于,包括下列步驟:
在第一基板上構(gòu)造腔室、導(dǎo)熱孔以及第一通孔,并且在所述第一基板上布置第一阻容器件、第一芯片以及散熱蓋;
在第二基板上布置第二阻容器件、第二芯片以及銅核球;
在所述第二芯片上布置微流道;
將所述第一基板布置于所述第二基板上,其中將所述導(dǎo)熱孔與所述微流道連接;
在所述第二基板下方布置球柵陣列;
在印刷電路板上布置微泵以及熱交換器;
連接所述球柵陣列以及所述印刷電路板;以及
布置管道以便將所述微泵和所述熱交換器與所述微流道連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海先方半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海先方半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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