[發明專利]一種基于電磁超材料的射頻微系統在審
| 申請號: | 202111495587.4 | 申請日: | 2021-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN114171468A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 安慧林;李君;周云燕;張文雯;元健 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/552 |
| 代理公司: | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 電磁 材料 射頻 系統 | ||
1.一種基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,包括:
腔室;
電磁輻射源,其布置于所述腔室中,其中所述電磁輻射源被配置為產生電磁輻射;
熱輻射源,其布置于所述腔室中,其中所述熱輻射源被配置為產生熱輻射;以及
電磁超材料層,其被配置為吸收電磁輻射以及熱輻射。
2.根據權利要求1所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,所述電磁輻射源包括芯片以及打線。
3.根據權利要求2所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,所述熱輻射源包括芯片。
4.根據權利要求1所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,所述電磁輻射源和所述熱輻射源布置于所述腔室的底部,并且所述電磁超材料層布置于所述腔室的頂部。
5.根據權利要求1所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,所述電磁超材料層包括:
基板:
屏蔽金屬層,其布置在所述基板的第一側,所述屏蔽金屬層被配置為屏蔽電磁輻射以及熱輻射;以及
電磁超材料吸波單元,其布置在所述基板的第二側,所述電磁超材料吸波單元包括:
電磁輻射吸收單元,其被配置為吸收電磁輻射;以及
熱輻射吸收單元,其被配置為吸收熱輻射。
6.根據權利要求5所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,包括多個所述電磁超材料吸波單元,其中多個所述電磁超材料吸波單元循環排列布置。
7.根據權利要求1所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,包括硅通孔、球柵陣列以及阻容器件。
8.根據權利要求1所述的基于電磁超材料的射頻微系統,其特征在于,所述電磁超材料層被配置為在大于等于3GHz的頻率波段上吸收率大于等于80%的電磁輻射和熱輻射。
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