[發(fā)明專利]半導(dǎo)體退火設(shè)備及其控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111495304.6
• 申請(qǐng)日: 2021-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114171384A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康曉旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，包括：

3N個(gè)調(diào)整部，圍成能夠容納目標(biāo)晶圓的轉(zhuǎn)移承載區(qū)，每個(gè)所述調(diào)整部包括第一承托結(jié)構(gòu)，所述第一承托結(jié)構(gòu)的自由端靠近所述轉(zhuǎn)移承載區(qū)的中心；

3N個(gè)定位部，圍成能夠容納所述目標(biāo)晶圓的工藝承載區(qū)，每個(gè)所述定位部包括第二承托結(jié)構(gòu)，所述第二承托結(jié)構(gòu)的自由端靠近所述工藝承載區(qū)的邊緣，相鄰所述第二承托結(jié)構(gòu)之間的距離允許所述第一承托結(jié)構(gòu)通過(guò)；

移動(dòng)控制部，通信連接3N個(gè)所述調(diào)整部，以帶動(dòng)3N個(gè)所述第一承托結(jié)構(gòu)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，從而調(diào)整所述目標(biāo)晶圓和所述工藝承載區(qū)之間的相對(duì)位置關(guān)系；N為大于等于1的正整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，還包括第一加熱部和第二加熱部，所述第一加熱部和所述第二加熱部分別朝向所述工藝承載區(qū)的兩側(cè)設(shè)置，以加熱所述目標(biāo)晶圓的正面和背面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，所述第二承托結(jié)構(gòu)為透光導(dǎo)熱承托結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，還包括通信連接所述移動(dòng)控制部的位置信息獲取部，所述位置信息獲取部朝向所述工藝承載區(qū)的至少一側(cè)設(shè)置，以獲取并向所述移動(dòng)控制部反饋所述目標(biāo)晶圓的位置信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，每個(gè)所述調(diào)整部還包括相對(duì)所述第一承托結(jié)構(gòu)傾斜設(shè)置的第一傾斜結(jié)構(gòu)，所述第一傾斜結(jié)構(gòu)與所述第一承托結(jié)構(gòu)交匯形成第一限位區(qū)，3N個(gè)所述第一限位區(qū)限定所述轉(zhuǎn)移承載區(qū)的范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，每個(gè)所述定位部還包括相對(duì)所述第二承托結(jié)構(gòu)傾斜設(shè)置的第二傾斜結(jié)構(gòu)，所述第二傾斜結(jié)構(gòu)與所述第二承托結(jié)構(gòu)相接形成第二限位區(qū)，3N個(gè)所述第二限位區(qū)限定所述工藝承載區(qū)的范圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備，其特征在于，3N個(gè)所述調(diào)整部和/或3N個(gè)所述定位部呈環(huán)形陣列分布。

8.一種半導(dǎo)體退火設(shè)備的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

S0：提供半導(dǎo)體退火設(shè)備，所述半導(dǎo)體退火設(shè)備包括3N個(gè)調(diào)整部、3N個(gè)定位部和移動(dòng)控制部，3N個(gè)所述定位部圍成能夠容納目標(biāo)晶圓的工藝承載區(qū)，每個(gè)所述定位部包括第二承托結(jié)構(gòu)，所述第二承托結(jié)構(gòu)的自由端靠近所述工藝承載區(qū)的邊緣，相鄰所述第二承托結(jié)構(gòu)之間的距離允許每個(gè)所述調(diào)整部的第一承托結(jié)構(gòu)通過(guò)；

S1：通過(guò)所述移動(dòng)控制部控制3N個(gè)所述調(diào)整部和3N個(gè)所述定位部圍成初始定位區(qū)，將目標(biāo)晶圓放置于所述初始定位區(qū)；

S2：通過(guò)所述移動(dòng)控制部判斷是否需要對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行位置調(diào)整；

S3：控制3N個(gè)所述調(diào)整部遠(yuǎn)離3N個(gè)所述定位部運(yùn)動(dòng)，使每個(gè)所述第一承托結(jié)構(gòu)承托所述目標(biāo)晶圓，以及使每個(gè)所述第二承托結(jié)構(gòu)解除與所述目標(biāo)晶圓之間的接觸關(guān)系；

S4：通過(guò)所述移動(dòng)控制部控制3N個(gè)所述調(diào)整部進(jìn)行位置調(diào)整，直至通過(guò)所述移動(dòng)控制部判斷所述目標(biāo)晶圓的中心與所述工藝承載區(qū)的中心重合；

S5：通過(guò)所述移動(dòng)控制部控制3N個(gè)所述調(diào)整部朝向3N個(gè)所述定位部運(yùn)動(dòng)的同時(shí)維持所述目標(biāo)晶圓的中心與所述工藝承載區(qū)的中心重合，直至所述目標(biāo)晶圓與每個(gè)所述第二承托結(jié)構(gòu)相接觸，且每個(gè)所述第一承托結(jié)構(gòu)與所述目標(biāo)晶圓解除接觸關(guān)系。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備的控制方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體退火設(shè)備還包括分別朝向所述工藝承載區(qū)的兩側(cè)設(shè)置的第一加熱部和第二加熱部，所述步驟S5執(zhí)行完畢后，通過(guò)所述第一加熱部和所述第二加熱部對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行加熱。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體退火設(shè)備的控制方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體退火設(shè)備還包括通信連接所述移動(dòng)控制部的位置信息獲取部，所述步驟S2中，通過(guò)所述移動(dòng)控制部判斷是否需要對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行位置調(diào)整的步驟包括：

通過(guò)所述位置信息獲取部獲取并向所述移動(dòng)控制部反饋所述目標(biāo)晶圓的位置信息，所述移動(dòng)控制部根據(jù)所述位置信息獲取部反饋的所述目標(biāo)晶圓的位置信息判斷是否需要對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行位置調(diào)整。