[發明專利]肖特基結復合材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202111493886.4
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114162821B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 吳靜;陳天友
• 申請（專利權）人: 中國地質大學（北京）
• 主分類號: C01B32/921
• 分類號: C01B32/921;C01G5/02;B82Y40/00;B82Y30/00;G01N27/30;G01N27/36
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11309
• 代理人: 陳霽

本發明涉及半導體材料技術領域，特別是涉及一種肖特基結復合材料及其制備方法和應用。本發明提供了一種肖特基結復合材料，由Tisubgt;3/subgt;Csubgt;2/subgt;Tsubgt;x/subgt;片層及負載在所述Tisubgt;3/subgt;Csubgt;2/subgt;Tsubgt;x/subgt;片層上的AgI微球組成，其中，一個Tisubgt;3/subgt;Csubgt;2/subgt;Tsubgt;x/subgt;片層上負載有多個AgI微球。該肖特基結復合材料可用于光電化學傳感器的肖特基結復合材料，能夠大幅提升光電化學傳感器的性能。

技術領域

本發明涉及半導體材料技術領域，特別是涉及一種肖特基結復合材料及其制備方法和應用。

背景技術

半導體作為一種具有潛力的光催化技術已廣泛被研究。半導體光催化技術可以直接利用太陽能產生燃料、降解污染物以及對生物分子進行傳感檢測，因此備受關注。但是單個半導體有其自身的缺陷，如：光生電子空穴對的快速復合、載流子傳輸效率差及光利用率低等，從而限制了其應用。構建異質結材料是提升半導體光電化學性能的有效手段，將半導體與導電性優異的材料復合形成肖特基結，從而使光生電子空穴對有效分離，表現出更優異的光化學性質，可用于制備高性能的催化劑或傳感器。

因此，研究可以應用于催化劑或傳感器的肖特基復合材料具有重要意義。

發明內容

本發明提供了一種可用于光電化學傳感器的肖特基結復合材料，能夠大幅提升光電化學傳感器的性能。

第一方面，提供了一種肖特基結復合材料，由Ti₃C₂T_x片層及負載在所述Ti₃C₂T_x片層上的AgI微球組成，其中，一個Ti₃C₂T_x片層上負載有多個AgI微球。

第二方面，提供了第一方面所述的肖特基結復合材料的制備方法，包括如下步驟：

(1)，對Ti₃C₂T_x多層粉末進行解離處理，以減少聚焦在一起的Ti₃C₂T_x的層數；

(2)將經過步驟(1)解離處理的Ti₃C₂T_x和含有Ag⁺的溶液混合，之后，進行超聲處理，使得Ag⁺附著在Ti₃C₂T_x片層的表面，再將滴加含有I^-的溶液，得到第一混合液；

(3)對所述第一混合液依次超聲處理、干燥處理，得到所述肖特基結復合材料。

在一個實施例中，在所述步驟(1)中，每1mg的Ti₃C₂T_x多層粉末放入到2mL去離子水中，超聲處理，以進行解離處理，得到分散液；所述步驟(2)中，將含有Ag⁺的溶液逐滴加入到所述分散液中，之后，進行超聲處理，再將逐滴滴加含有I^-的溶液，得到第一混合液。

在一個實施例中，所述分散液由將15mgTi₃C₂T_x多層粉末放入到30mL去離子水中，再進行超聲處理后得到的；所述含有Ag⁺的溶液由61.5mg?AgNO₃溶于10mL去離子水后得到；所述含有I^-的溶液由60.1mg?KI溶于10mL去離子水后得到。