[發(fā)明專利]一種液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu)及生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111493851.0 | 申請日: | 2021-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN114164493A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊麗雯;程章勇;張云偉;何麗娟 | 申請(專利權(quán))人: | 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/40 | 分類號: | C30B29/40;C30B19/06 |
| 代理公司: | 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 張宇鋒 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 相生 氮化 生長 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu),其特征在于,包括底部帶有氮化鋁籽晶的石墨棒、碳化鉭多孔過濾網(wǎng)以及碳化鉭坩堝和碳化鈦坩堝構(gòu)成的復(fù)合嵌套坩堝;其中,所述復(fù)合嵌套坩堝放置在石墨發(fā)熱坩堝中;所述碳化鉭坩堝嵌套在所述碳化鈦坩堝內(nèi),二者嵌套空隙中填入氮化鋁料源;所述碳化鉭多孔過濾網(wǎng)包括蓋板和焊接下沉過濾網(wǎng),二者之間通過多條碳化鉭支撐柱連接,所述蓋板上設(shè)置有供所述石墨棒通過的圓孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu),其特征在于,所述碳化鈦坩堝的外徑200mm,壁厚10mm;所述碳化鉭外徑185mm,壁厚10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu),其特征在于,所述焊接下沉過濾網(wǎng)上的網(wǎng)眼孔洞大小為100-500微米不等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氮化鋁料源的尺寸為78-80目。
5.一種使用權(quán)利要求1-4任意所述的液相生長氮化鋁的生長結(jié)構(gòu)生長氮化鋁的方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:先將纏有石墨氈保溫結(jié)構(gòu)的石墨發(fā)熱坩堝裝爐;依次將所述碳化鈦坩堝放入所述石墨發(fā)熱坩堝內(nèi),將所述碳化鉭坩堝放入碳化鈦坩堝內(nèi),之后在二者的間隙放入氮化鋁料源;
S2:在碳化鉭坩堝內(nèi)放入鋁源并蓋上所述碳化鉭多孔過濾網(wǎng),繼續(xù)填鋁源,使用所述石墨棒穿過過濾網(wǎng)上蓋,下沉進入坩堝中,且石墨棒與鋁源之間的距離保持在20-30mm;
S3:環(huán)境維持壓強為2-3個大氣壓的環(huán)境壓強,之后開始升溫,直至溫度升高到目標(biāo)溫度2000-2250℃;
S4:溫度達(dá)到2000-2250℃時,控制石墨棒以500微米/分鐘的速率緩慢下沉,深入液面以下1cm;之后上升加熱線圈并使得高溫位處于氮化鋁籽晶生長面,維持半小時;
S5:2200-2250℃維持半小時后,將爐腔壓力降低到100000Pa,并且將氬氣換成氮氣,氮氣在高溫下部分裂解,產(chǎn)生活性N原子,從石墨棒的中心氣孔處通入活性裂解的氮源,同時,在高溫和低壓下,坩堝間隙的氮化鋁料源開始揮發(fā),并且沿著碳化鉭坩堝和碳化鈦坩堝之間的間隙向上,并且通過石墨棒的中心氣孔向籽晶處運動,并且該氣體通過石墨棒的近生長界面氣孔通入液體,在石墨棒中的石墨梯度調(diào)節(jié)環(huán)的作用下,擴散到鋁液中的活性N原子由于熱梯度調(diào)整結(jié)構(gòu)的作用,會在石墨棒底部的氮化鋁籽晶上形成微凸的界面特征;
S6:隨后將加熱線圈下降到坩堝底部,坩堝底部為高溫,頂部氮化鋁籽晶處為低溫位置,在溫度梯度作用下,在氮化鋁籽晶處開始進行生長。
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