[發明專利]半導體激光器散熱結構及具有其的封裝結構

在審

• 申請號: 202111492772.8
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114361933A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 廖文淵;王宏然;賴燦雄;楊少華;路國光
• 申請（專利權）人: 中國電子產品可靠性與環境試驗研究所（（工業和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 張捷美

1.一種半導體激光器散熱結構，其特征在于，包括第一熱沉，所述第一熱沉的第一端面上設有用于放置COS芯片的承載面，所述第一端面上設有多個第一通孔和多個第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均沿垂直于所述承載面的方向貫穿所述第一熱沉，所述COS芯片的激光芯片和所述COS芯片的諧振腔均關于虛擬中線對稱，經過所述虛擬中線并與所述承載面垂直的平面為虛擬基準面，所述第一通孔和所述第二通孔關于所述虛擬基準面對稱布置在所述承載面的兩側，多個所述第一通孔沿平行于虛擬中線的方向間隔布置，多個所述第二通孔沿平行于虛擬中線的方向間隔布置，所述第一通孔和所述第二通孔一一對應。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第一通孔為5個，所述第二通孔為5個；

和/或，所述第一通孔和所述第二通孔的直徑均為1mm-5mm；

和/或，所述第一通孔的軸線與所述虛擬基準面的距離為3.5mm-7.5mm，所述第二通孔的軸線與所述虛擬基準面的距離為3.5mm-7.5mm；

和/或，多個所述第一通孔軸線之間的距離為3mm，多個所述第二通孔軸線之間的距離為3mm。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第一熱沉的所述第一端面上還設有第三通孔，所述第三通孔沿垂直所述承載面的方向貫穿所述第一熱沉，所述第三通孔的軸線位于所述虛擬基準面上，所述第三通孔位于所述激光芯片遠離所述諧振腔的一側。

4.根據權利要求3所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第三通孔的直徑為2mm-6mm；

和/或，所述COS芯片上靠近所述激光芯片的端面為COS芯片第一端面，所述第三通孔的軸線與所述COS芯片第一端面的距離為2mm-13mm。

5.根據權利要求1所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第一熱沉上還設有第四通孔，所述第四通孔沿平行于所述虛擬中線的方向貫穿所述第一熱沉，所述第四通孔的軸線位于所述虛擬基準面上。

6.根據權利要求5所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第四通孔的直徑為2mm–6mm；

和/或，所述第四通孔的軸線與所述激光芯片中心的距離為7mm–12mm。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的半導體激光器散熱結構，其特征在于，所述第一熱沉包括銅熱沉、銅鎢熱沉、銅鎳熱沉和鋁熱沉。

8.一種半導體激光器封裝結構，其特征在于，包括COS芯片和權利要求1-7任意一項所述半導體激光器散熱結構，所述COS芯片放置在所述承載面上。

9.根據權利要求8所述的半導體激光器封裝結構，其特征在于，所述COS芯片包括半導體激光器和第二熱沉，所述半導體激光器與所述第二熱沉連接，所述第二熱沉放置在所述承載面上且與所述第一熱沉連接，所述第一熱沉位于所述第二熱沉遠離所述半導體激光器的一側。

10.根據權利要求9所述的半導體激光器封裝結構，其特征在于，所述半導體激光器為錐形半導體激光器。