[發明專利]一種氧化鈮/銀納米線雙層結構柔性透明導電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202111492644.3
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114231903B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 宋麗君;羅扉;趙小明;武超;于仕輝;韓越
• 申請（專利權）人: 洛陽理工學院
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;C23C28/00;B82Y40/00
• 代理公司: 洛陽華和知識產權代理事務所(普通合伙) 41203
• 代理人: 劉亞莉

1.一種Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜，其特征在于包括襯底和Nb₂O₅/AgNW雙層結構，銀納米線AgNW均勻分布在薄膜中，Nb₂O₅層的厚度為60nm；該Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜在波長為550nm時光學透過率為91.2％，方塊電阻為8.9Ω/sq；所述Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜是按照以下方法制備的：

(1)依次用無水乙醇和去離子水超聲清洗PET襯底，并用高純氮氣吹干，備用；

(2)將銀納米線AgNW與無水乙醇混合均勻制成混合溶液，混合溶液中銀納米線的濃度為1.5mg/ml；

(3)將步驟(1)處理好的襯底吸附在勻膠機上，設置勻膠機參數為600rpm，時間為20s，在襯底表面均勻旋涂步驟(2)制備的AgNW與無水乙醇的混合溶液，使銀納米線旋涂在襯底表面；

(4)將步驟(3)旋涂好銀納米線的襯底放置在烘箱中于60℃下烘烤5分鐘；

(5)將步驟(4)烘干后的PET襯底固定到磁控濺射樣品臺上，襯底涂有銀納米線的一面朝向磁控濺射系統的真空腔體；

(6)將Nb₂O₅靶材裝入真空腔體內，靶材與襯底的距離控制在60mm；

(7)將磁控濺射系統的本底真空度抽至5.0×10^-4Pa，通入50sccm的氬氣，壓強調節為0.6Pa，濺射功率為50W，在室溫下，使用Ar作為濺射氣體進行沉積，在襯底的銀納米線表面得到60nm厚的Nb₂O₅薄膜；

(8)待步驟(7)沉積完成后，將步驟(7)中獲得的薄膜取出，即得到Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜。

2.如權利要求1所述的Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜，其特征在于Nb₂O₅層的厚度為20nm；該Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜在波長為550nm時光學透過率為90.1％，方塊電阻為8.6Ω/sq。

3.如權利要求2所述的Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜，其特征在于制備時，步驟(2)中銀納米線的濃度為1.0mg/ml，步驟(3)中設置勻膠機參數為500rpm，時間為5s，步驟(6)中靶材與襯底的距離控制在90mm，步驟(7)中磁控濺射系統的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa，壓強調節為0.3Pa，濺射功率為20W。

4.如權利要求1-3任一所述的Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜，其特征在于步驟(7)中氬氣的純度在99.99％以上。

5.如權利要求1-3任一所述的Nb₂O₅/AgNW雙層結構柔性透明導電薄膜，其特征在于步驟(6)Nb₂O₅靶材中Nb₂O₅的純度為99.99％。