[發明專利]一種高壓DMOS簡化挖槽設計方法

在審

• 申請號: 202111489509.3
• 申請日: 2021-12-08
• 公開（公告）號: CN114203554A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 郝讓峰
• 申請（專利權）人: 廈門吉順芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 陳明鑫;蔡學俊

1.一種高壓DMOS簡化挖槽設計方法，其特征在于，在Cell區內，采用挖槽設計，優化縱向結構，所述挖槽設計是在解決閉閂效應的前提下，通過自對準和Hard Mask工藝實現，以減少加工步驟，避免光刻對位偏差。

2.根據權利要求1所述的一種高壓DMOS簡化挖槽設計方法，其特征在于，該方法具體實現步驟如下：

步驟一、在N型EPI上，完成包括P-、N+的功能區域加工；

步驟二、在P+注入摻雜后，再采用自對準工藝，對產品進行挖槽處理，使得N+/P+與Metal連通；

步驟三、對表面進行處理。

3.根據權利要求1或2所述的一種高壓DMOS簡化挖槽設計方法，其特征在于，該方法制備的MOSFET器件單元體結構為：包括半導體基板，所述半導體基板包括第一導電類型重摻雜襯底及位于第一導電類型重摻雜襯底上的第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層的上表面為半導體基板的第一主面，第一導電類型重摻雜襯底的下表面為半導體基板的第二主面，采用自對準技術，在第一導電類型外延層內沿著第一主面指向第二主面的方向摻雜有P-區域，所述P-區域兩側均設有第二導電類型體區，所述第二導電類型體區位于第一導電類型外延層內，且為第一導電類型源極區；在第一導電類型源區下方以及在P-區域內，注入摻雜有P+區域層，在所述P-區域上方有Poly層，Poly層和第一導電類型源極區上方設有絕緣介質層，Poly層兩側絕緣介質層內設有源極接觸孔，在Poly上方的絕緣介質層內設有柵極接觸孔，采用挖槽技術，從有源區挖到P+區域，使埋藏在有源區下的P+區域露出來，柵極接觸孔和源極接觸孔內填充有金屬，形成柵極金屬和源極金屬，所述柵極金屬、源極金屬穿過接觸孔與第二導電類型體區接觸，且與第一導電類型源極區歐姆接觸，P+區域通過金屬，與源區短路連接。